[發(fā)明專利]相移掩模的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010876325.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112034674A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽省徽騰智能交通科技有限公司泗縣分公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/26 | 分類號(hào): | G03F1/26 |
| 代理公司: | 廣州高炬知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44376 | 代理人: | 洪美 |
| 地址: | 234300 安徽省宿州市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 相移 制備 方法 | ||
公開(kāi)了一種相移掩模的制備方法,其包括,提供第一厚度的透明基板,蝕刻透明基板形成第一厚度的第一基板表面和第二厚度的第二基板表面,第一厚度和第二厚度之間的差值使得照射第一基板表面的第一光束和照射第二基板表面的第二光束具有預(yù)定相位差;在氮?dú)鈿夥障掠诘谝换灞砻婧偷诙灞砻嫔戏謩e濺射金屬硅化物形成具有第三厚度的第一半透明層,在氮?dú)夂碗礆獾幕旌蠚夥障掠诘谝话胪该鲗颖砻嫔蠟R射金屬硅化物形成具有第四厚度的第二半透明層,金屬與硅的比值處于二分之一至四分之一之間,其低于第一半透明層的氮含量且氮硅比值為4至8之間,第三厚度小于第四厚度,基于遮光層圖案濕式蝕刻第一半透明層和第二半透明層形成半透明圖案。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種相移掩模的制備方法。
背景技術(shù)
相移掩模可以使分辨率改善,其原理是通過(guò)掩模版上掩模圖形的相鄰?fù)腹鈪^(qū)的光束,通過(guò)不帶相移層區(qū)的光束和通過(guò)帶相移層區(qū)光束之間產(chǎn)生180度相位差,使得硅片表面上相鄰圖形之間因相消干涉使暗區(qū)光強(qiáng)減弱,實(shí)現(xiàn)了同一光學(xué)系統(tǒng)下的倍增分辨率的提高,改善了邊緣陡度和曝光量寬容度。
現(xiàn)有技術(shù)中,采用濕式蝕刻進(jìn)行大批量相移掩模制備中廣泛使用的技術(shù)。一般地,在石英基板上陣列均勻分布多個(gè)掩模層,進(jìn)行大批量制備。由于相干效應(yīng)的干擾,掩模層的分布密度需保持足夠小以避免相干作用的干擾,這不利于相移掩模的尺寸的形成且提高了生產(chǎn)成本。而提高掩模層的分布密度還存在以下問(wèn)題,當(dāng)密度增加后,濕式蝕刻更難以精確控制掩模層的邊緣處的形狀,使得相移掩模的垂直度不夠,降低相移效果,另外,濕式蝕刻液滲入至光阻劑膜與鉻掩模層之間,蝕刻速度快且在底部邊緣處的厚度減少,也進(jìn)一步降低相移效果。因此,采用濕式蝕刻進(jìn)行大批量相移掩模制備中,本領(lǐng)域急需提高分布密度的同時(shí),避免相干作用且提高相移掩模的垂直度以及控制邊緣處厚度的均勻性,以提高質(zhì)量降低成本。
在背景技術(shù)部分中公開(kāi)的所述信息僅僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解,因此可能包含不構(gòu)成在本國(guó)中本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于所述問(wèn)題,本發(fā)明提供一種相移掩模的制備方法,本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)。
一種相移掩模的制備方法包括如下步驟:
提供第一厚度的透明基板,蝕刻所述透明基板形成具有第一厚度的第一基板表面和第二厚度的第二基板表面,第一厚度和第二厚度之間的差值使得照射第一基板表面的第一光束和照射第二基板表面的第二光束具有預(yù)定相位差;
在氮?dú)鈿夥障掠诘谝换灞砻婧偷诙灞砻嫔戏謩e濺射金屬硅化物形成具有第三厚度的第一半透明層,其中,金屬與硅的比值處于四分之一至八分之一之間,氮含量40原子%至45原子%,在氮?dú)夂碗礆獾幕旌蠚夥障掠诘谝话胪该鲗颖砻嫔蠟R射金屬硅化物形成具有第四厚度的第二半透明層,其中,金屬與硅的比值處于二分之一至四分之一之間,其氮含量低于第一半透明層的氮含量且氮硅比值4至8之間,第三厚度小于第四厚度;
在氪氣氣氛下于第二半透明層表面上濺射鉻化合物形成具有第五厚度的遮光層,在遮光層上涂布光刻膠層,曝光后沖洗形成預(yù)定寬度和預(yù)定間隙的光刻圖案;
基于光刻圖案濕式蝕刻遮光層形成遮光層圖案,基于所述遮光層圖案濕式蝕刻第一半透明層和第二半透明層形成半透明圖案。
所述的方法中,第二半透明層和遮光層之間設(shè)有第六厚度的絕緣層,所述第六厚度小于第三厚度。
所述的方法中,所述遮光層和光刻膠層之間濺射第七厚度的反射層,所述反射層包括氧化鉻,所述第七厚度小于第六厚度。
所述的方法中,所述半透明圖案中,所述第二半透明層的上表面與第一半透明層的下表面朝向間隙的一端端部的連線與垂直方向的夾角小于10度。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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