[發(fā)明專利]集成電路結(jié)構(gòu)及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010873119.5
• 申請(qǐng)日: 2020-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN112435958A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林志男;吳家宇;許凱翔;劉定一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在第一導(dǎo)電部件上方沉積第一蝕刻停止層；

實(shí)施第一處理以使所述第一蝕刻停止層非晶化；

在所述第一蝕刻停止層上方沉積介電層；

蝕刻所述介電層以形成開口；

蝕刻穿過所述第一蝕刻停止層以將所述開口延伸至所述第一蝕刻停止層中；以及

用導(dǎo)電材料填充所述開口以形成第二導(dǎo)電部件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一處理包括使用包括氨(NH₃)的工藝氣體轟擊所述第一蝕刻停止層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一處理使用在90瓦和135瓦之間的范圍內(nèi)的低頻射頻功率實(shí)施。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積所述第一蝕刻停止層在300℃和380℃之間的范圍內(nèi)的溫度下實(shí)施。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括形成非晶金屬蓋，其中，所述非晶金屬蓋位于所述第一導(dǎo)電部件上方并且位于所述第一蝕刻停止層下面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，形成所述非晶金屬蓋包括：

沉積金屬蓋；以及

在沉積所述金屬蓋之后，轟擊所述金屬蓋以在所述金屬蓋中生成非晶結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在形成所述第二導(dǎo)電部件之后，實(shí)施高溫工藝，其中，所述第一蝕刻停止層轉(zhuǎn)換為具有多晶結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一蝕刻停止層上方沉積第二蝕刻停止層；以及

在所述第二蝕刻停止層上方沉積第三蝕刻停止層，其中，所述介電層形成在所述第三蝕刻停止層上方，并且所述開口還延伸穿過所述第三蝕刻停止層和所述第二蝕刻停止層。

9.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

第一介電層；

第一導(dǎo)電部件，延伸至所述第一介電層中；

金屬蓋，位于所述第一導(dǎo)電部件上方并且接觸所述第一導(dǎo)電部件；

非晶第一蝕刻停止層，位于所述金屬蓋上方；

低k介電層，位于所述非晶第一蝕刻停止層上方；以及

第二導(dǎo)電部件，延伸至所述低k介電層和所述非晶第一蝕刻停止層中。

10.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

第一低k介電層；

第一導(dǎo)電部件，延伸至所述第一低k介電層中，其中，所述第一導(dǎo)電部件包括銅；

金屬蓋，位于所述第一導(dǎo)電部件上方并且接觸所述第一導(dǎo)電部件；

蝕刻停止層，包括：

非晶氮化鋁層，位于所述金屬蓋和所述第一低k介電層上方并且接觸所述金屬蓋和所述第一低k介電層，其中，所述非晶氮化鋁層形成第一子蝕刻停止層；

第二子蝕刻停止層，位于所述第一子蝕刻停止層上方；以及

第三子蝕刻停止層，位于所述第二子蝕刻停止層上方；

第二低k介電層，位于所述第三子蝕刻停止層上方；以及

導(dǎo)電通孔，延伸至所述第二低k介電層和所述蝕刻停止層中。