[發(fā)明專利]一種半導體芯片對準標記的制作方法及半導體芯片

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010872619.7
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN112201579A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設計）人: 魏偉;羅燁輝;趙艷黎;王志成;龔芷玉;鄭昌偉;李誠瞻;羅海輝
• 申請（專利權(quán)）人: 株洲中車時代半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L23/544
• 代理公司: 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;金淼

1.一種半導體芯片對準標記的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底之上形成外延層；

在所述外延層之上形成掩膜層；

通過光刻并刻蝕所述掩膜層的注入?yún)^(qū)窗口和對準標記窗口，直到露出所述注入?yún)^(qū)窗口和所述對準標記窗口下方的所述外延層上表面的對應區(qū)域；

在所述注入?yún)^(qū)窗口進行離子注入；

在除了所述對準標記窗口之外的所述半導體芯片表面區(qū)域形成標記光刻層；

利用所述標記光刻層作為掩膜對所述對準標記窗口下方的所述外延層上表面的對應區(qū)域進行刻蝕，并將其刻蝕至指定深度；

去除所述標記光刻層和所述掩膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述對準標記的圖形包括矩形、長條形、Y形、X形、十字形、回字形、田字形、口字形、間斷的回字形中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，

所述對準標記窗口的長度為162μm～474μm，寬度為49μm～147μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，

在沿所述半導體芯片表面的方向，所述對準標記的各圖形的列數(shù)為1～3列；所述對準標記的圖形的排數(shù)為30～60排。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，

在沿所述半導體芯片表面的方向，所述對準標記的各圖形中心之間的縱向距離設置為8um；所述對準標記的圖形中心之間的距離范圍設置為13μm～48μm；所述對準標記的最外側(cè)的圖形的中心與所述對準標記窗口的邊界的距離為10μm～30μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，

所述指定深度設置為0.3μm～0.8μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，

所述掩膜層材料包括SiO₂、SiN、AlN中的一種；

所述標記光刻層材料包括多晶硅、SiO₂、SiN中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，

所述離子為P型注入離子，所述P型注入離子包括Al離子或B離子。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，

所述離子還包括N型注入離子，所述N型注入離子包括N離子、P離子、As離子。

10.一種半導體芯片，其特征在于，包括：

采用權(quán)利要求1至9中任一項所述半導體芯片對準標記的制作方法制作的對準標記。