[發明專利]無源器件制備方法及無源器件

在審

• 申請號: 202010870974.0
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN112086441A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 楊志;何洪濤;董春暉;韓易
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 許小榮

本發明適用于無源器件制備技術領域，提供了一種無源器件制備方法及無源器件，該方法包括：在半導體襯底上制備絕緣介質層；在絕緣介質層上制備氮化鉭金屬層；對氮化鉭金屬層進行刻蝕，獲得無源器件樣品；在無源器件樣品上制備鈍化層，獲得無源器件。本發明基于氮化鉭金屬層，可以制備與其他電子元器件匹配良好、應用范圍廣的無源器件，同時可以實現薄膜電容的制備，有利于無源器件的小型化和集成化。

技術領域

本發明屬于無源器件制備技術領域，尤其涉及一種無源器件制備方法及無源器件。

背景技術

隨著電子系統向體積更小、速度更快、功能更多、性能更強的方向發展，電子元器件越來越朝著微型化、集成化、多功能化的方向發展。電子元器件中，有源器件已經實現高度集成化，而無源器件很長時間以來都是以分立元件的形式被使用，因此，電子系統的小型化和集成化主要依賴于無源器件的小型化和集成化。

目前無源器件的集成技術主要包括薄膜集成技術、低溫共燒陶瓷技術、印制電路板集成技術、以及多芯片組件技術等，其中利用薄膜集成技術進行無源器件的集成，可以實現成本和性能的最優組合，是一種最具發展潛力的無源器件集成技術。然而現有薄膜集成技術中，存在制備的薄膜無源器件應用范圍受限、匹配度不高且薄膜電容制備困難的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種無源器件制備方法及無源器件，以解決現有技術中制備的薄膜無源器件應用范圍受限、匹配度不高且薄膜電容制備困難的問題。

本發明實施例的第一方面提供了一種無源器件制備方法，包括：

在半導體襯底上制備絕緣介質層；

在所述絕緣介質層上制備氮化鉭金屬層；

對所述氮化鉭金屬層進行刻蝕，獲得無源器件樣品；

在所述無源器件樣品上制備鈍化層，獲得無源器件。

可選的，所述對所述氮化鉭金屬層進行刻蝕，獲得無源器件樣品之前，還包括：

對所述氮化鉭金屬層進行氧化改性，獲得氧化改性后的氮化鉭金屬層；

所述對所述氮化鉭金屬層進行刻蝕，獲得無源器件樣品，包括：

對所述氧化改性后的氮化鉭金屬層進行刻蝕，獲得無源器件樣品。

可選的，所述對所述氮化鉭金屬層進行氧化改性，獲得氧化改性后的氮化鉭金屬層，包括：

在預設溫度下對所述氮化鉭金屬層氧化預設時間，獲得氧化改性后的氮化鉭金屬層；其中，預設溫度小于500℃，預設時間大于0.5h。

可選的，所述在所述絕緣介質層上制備氮化鉭金屬層之前，還包括：

在所述絕緣介質層上制備第一金屬層；

在所述絕緣介質層上制備氮化鉭金屬層之后，還包括：

在所述氮化鉭金屬層上制備第二金屬層。

可選的，在所述絕緣介質層上制備第一金屬層之前，還包括：

在所述絕緣介質層上制備粘附金屬層。

可選的，所述第一金屬層和所述第二金屬層的金屬為金或鉑；

所述粘附金屬層的金屬為鈦、鉭、鉻、鎢或鈦鎢合金。

可選的，所述對所述氮化鉭金屬層進行刻蝕之前，還包括：

采用光刻技術，對所述第二金屬層進行刻蝕，形成無源器件上電極結構；

所述對所述氮化鉭金屬層進行刻蝕之后，還包括：