[發(fā)明專利]無源器件制備方法及無源器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010870974.0
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN112086441A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊志;何洪濤;董春暉;韓易
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 許小榮

1.一種無源器件制備方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底上制備絕緣介質(zhì)層；

在所述絕緣介質(zhì)層上制備氮化鉭金屬層；

對所述氮化鉭金屬層進行刻蝕，獲得無源器件樣品；

在所述無源器件樣品上制備鈍化層，獲得無源器件。

2.如權(quán)利要求1所述的無源器件制備方法，其特征在于，所述對所述氮化鉭金屬層進行刻蝕，獲得無源器件樣品之前，還包括：

對所述氮化鉭金屬層進行氧化改性，獲得氧化改性后的氮化鉭金屬層；

所述對所述氮化鉭金屬層進行刻蝕，獲得無源器件樣品，包括：

對所述氧化改性后的氮化鉭金屬層進行刻蝕，獲得無源器件樣品。

3.如權(quán)利要求2所述的無源器件制備方法，其特征在于，所述對所述氮化鉭金屬層進行氧化改性，獲得氧化改性后的氮化鉭金屬層，包括：

在預(yù)設(shè)溫度下對所述氮化鉭金屬層氧化預(yù)設(shè)時間，獲得氧化改性后的氮化鉭金屬層；其中，預(yù)設(shè)溫度小于500℃，預(yù)設(shè)時間大于0.5h。

4.如權(quán)利要求1至3任一項所述的無源器件制備方法，其特征在于，所述在所述絕緣介質(zhì)層上制備氮化鉭金屬層之前，還包括：

在所述絕緣介質(zhì)層上制備第一金屬層；

在所述絕緣介質(zhì)層上制備氮化鉭金屬層之后，還包括：

在所述氮化鉭金屬層上制備第二金屬層。

5.如權(quán)利要求4所述的無源器件制備方法，其特征在于，在所述絕緣介質(zhì)層上制備第一金屬層之前，還包括：

在所述絕緣介質(zhì)層上制備粘附金屬層。

6.如權(quán)利要求5所述的無源器件制備方法，其特征在于，

所述第一金屬層和所述第二金屬層的金屬為金或鉑；

所述粘附金屬層的金屬為鈦、鉭、鉻、鎢或鈦鎢合金。

7.如權(quán)利要求5所述的無源器件制備方法，其特征在于，所述對所述氮化鉭金屬層進行刻蝕之前，還包括：

采用光刻技術(shù)，對所述第二金屬層進行刻蝕，形成無源器件上電極結(jié)構(gòu)；

所述對所述氮化鉭金屬層進行刻蝕之后，還包括：

采用光刻技術(shù)，對所述第一金屬層進行刻蝕，形成無源器件下電極結(jié)構(gòu)，獲得無源器件樣品。

8.如權(quán)利要求7所述的無源器件制備方法，其特征在于，所述在所述無源器件樣品上制備鈍化層，獲得無源器件，包括：

采用低壓力化學氣相沉積工藝或者等離子體增強化學氣相沉積工藝在所述無源器件樣品上制備鈍化層；

通過光刻技術(shù)，在所述鈍化層上形成所述無源器件上電極結(jié)構(gòu)對應(yīng)開孔和所述無源器件下電極結(jié)構(gòu)對應(yīng)開孔，獲得無源器件。

9.如權(quán)利要求1所述的無源器件制備方法，其特征在于，

所述絕緣介質(zhì)層的厚度大于100nm；

所述氮化鉭金屬層的厚度小于1μm；

所述鈍化層的厚度大于100nm。

10.一種無源器件，其特征在于，包括通過權(quán)利要求1至9任一項所述的無源器件制備方法制備得到的無源器件。