[發(fā)明專利]電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010870365.5
• 申請(qǐng)日: 2020-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN112993146A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李泰榮;金國(guó)天;金秀吉;文民錫;林鐘久;鄭星雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L43/02
• 分類號(hào): H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 王建國(guó);李琳

電子設(shè)備可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，并且所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括多層合成反鐵磁(Multi SAF)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括第一鐵磁性層、第二鐵磁性層以及插置在所述第一鐵磁性層與第二鐵磁性層之間的間隔物層，其中所述間隔物層可以包括n個(gè)非磁性層和n?1個(gè)磁性層，它們被設(shè)置為使得該n個(gè)非磁性層中的每一個(gè)與該n?1個(gè)磁性層中的每一個(gè)交替地層疊，其中n表示等于或大于3的奇數(shù)，其中n?1個(gè)磁性層和n個(gè)非磁性層可以被配置為與第一鐵磁性層和第二鐵磁性層中的至少一個(gè)產(chǎn)生反鐵磁交換耦合。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2019年12月13日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2019-0166562名稱為“電子設(shè)備”的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

該專利文件涉及存儲(chǔ)電路或存儲(chǔ)器件及其在電子設(shè)備或系統(tǒng)中的應(yīng)用。

背景技術(shù)

近來(lái)，隨著電子設(shè)備或電器趨向于小型化、低功耗、高性能和多功能等，對(duì)能夠在諸如計(jì)算機(jī)、便攜式通信設(shè)備等的各種電子設(shè)備或電器中儲(chǔ)存信息的電子器件的需求增加，并且已經(jīng)進(jìn)行對(duì)于這種電子器件的研究和開發(fā)。這樣的電子器件的示例包括能夠利用根據(jù)被施加的電壓或電流而在不同電阻狀態(tài)之間切換的特性來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的電子器件，并且能夠以各種配置來(lái)實(shí)施，例如，RRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、PRAM(相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、FRAM(鐵電式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、MRAM(磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、電熔絲等。

發(fā)明內(nèi)容

該專利文件中公開的技術(shù)包括存儲(chǔ)電路或存儲(chǔ)器件及其在電子設(shè)備或系統(tǒng)中的應(yīng)用，以及各種電子設(shè)備的實(shí)施例，其中，電子設(shè)備包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器能夠改善可變電阻元件表現(xiàn)出不同電阻狀態(tài)以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的特性。

在一個(gè)方面，一種電子設(shè)備可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，并且所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括多層合成反鐵磁(Multi SAF)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括第一鐵磁性層、第二鐵磁性層和間隔物層，所述間隔物層插置在所述第一鐵磁性層與所述第二鐵磁性層之間，其中，所述間隔物層可以包括n個(gè)非磁性層和n-1個(gè)磁性層，n個(gè)非磁性層和n-1個(gè)磁性層被設(shè)置為使得該n個(gè)非磁性層中的每一個(gè)與該n-1個(gè)磁性層中的每一個(gè)交替地層疊，其中n表示等于或大于3的奇數(shù)，其中，所述n-1個(gè)磁性層和所述n個(gè)非磁性層可以被配置為與所述第一鐵磁性層和所述第二鐵磁性層中的至少一個(gè)產(chǎn)生反鐵磁交換耦合。

在另一方面，一種電子設(shè)備可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，并且所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括：磁性隧道結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)，其包括自由層、釘扎層和隧道阻擋層，所述自由層具有可變的磁化方向，所述釘扎層具有固定的磁化方向，所述隧道阻擋層插置在所述自由層與所述釘扎層之間；以及中間層，其插置在所述隧道阻擋層與所述釘扎層之間，其中，所述自由層和所述釘扎層中的任何一個(gè)或更多個(gè)可以包括多層合成反鐵磁結(jié)構(gòu)，所述多層合成反鐵磁結(jié)構(gòu)包括間隔物層，其中，所述間隔物層可以包括交替層疊的n個(gè)非磁性層和n-1個(gè)磁性層，其中n表示等于或大于3的奇數(shù)，其中所述非磁性層和所述磁性層可以具有fcc(111)結(jié)構(gòu)，并且，所述中間層可以具有bcc(001)結(jié)構(gòu)。

在附圖、說(shuō)明書和權(quán)利要求中更詳細(xì)地描述了這些和其他方面、實(shí)施方式以及相關(guān)的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是示出可變電阻元件的示例的截面圖。

圖2是示出基于所公開的技術(shù)的一些實(shí)施方式的可變電阻元件的示例的截面圖。

圖3是示出基于所公開的技術(shù)的一些實(shí)施方式的可變電阻元件的另一示例的截面圖。

圖4是示出基于所公開的技術(shù)的一些實(shí)施方式的可變電阻元件的另一示例的截面圖。

圖5是示出基于所公開的技術(shù)的一些實(shí)施方式的可變電阻元件的另一示例的截面圖。

圖6是示出分別基于所公開的技術(shù)的一些實(shí)施方式和比較示例的結(jié)構(gòu)的Ms*t值的圖。