[發明專利]電子設備

在審

• 申請號: 202010870365.5
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN112993146A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 李泰榮;金國天;金秀吉;文民錫;林鐘久;鄭星雄
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L43/02
• 分類號: H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 王建國;李琳

1.一種包括半導體存儲器的電子設備，其中，所述半導體存儲器包括：

多層合成反鐵磁結構，所述多層合成反鐵磁結構包括第一鐵磁性層、第二鐵磁性層和間隔物層，所述間隔物層插置在所述第一鐵磁性層與所述第二鐵磁性層之間，

其中，所述間隔物層包括n個非磁性層和n-1個磁性層，所述n個非磁性層和所述n-1個磁性層被設置為使得所述n個非磁性層中的每一個與所述n-1個磁性層中的每一個交替地層疊，其中n表示等于或大于3的奇數，

其中，所述n-1個磁性層和所述n個非磁性層被配置為與所述第一鐵磁性層和所述第二鐵磁性層中的至少一個產生反鐵磁交換耦合。

2.根據權利要求1所述的電子設備，其中，所述n個非磁性層中的至少一個具有fcc(111)結構。

3.根據權利要求1所述的電子設備，其中，所述n個非磁性層中的至少一個包括Ru、Ir或Cr或其組合。

4.根據權利要求1所述的電子設備，其中，所述n-1個磁性層中的至少一個具有fcc(111)結構。

5.根據權利要求1所述的電子設備，其中，所述第一鐵磁性層和所述第二鐵磁性層具有彼此反向平行的固定的磁化方向。

6.根據權利要求1所述的電子設備，其中，所述第一鐵磁性層和所述第二鐵磁性層包括單層或多層的結構，所述結構包含鐵磁性材料。

7.根據權利要求1所述的電子設備，其中，所述第一鐵磁性層包括釘扎層，所述釘扎層具有固定的磁化方向，并且，所述第二鐵磁性層包括移位抵消層，所述移位抵消層被構造為抵消或減小由所述釘扎層產生的雜散磁場。

8.根據權利要求1所述的電子設備，還包括中間層，所述中間層與所述間隔物層相鄰并且具有bcc(001)結構。

9.根據權利要求8所述的電子設備，其中，所述中間層包括Co、Fe、Ni、B或貴金屬或者它們的組合。

10.根據權利要求1所述的電子設備，還包括材料層，所述材料層插置在所述第一鐵磁性層與所述第二鐵磁性層之間，并且被構造為解決所述第一鐵磁性層與所述第二鐵磁性層之間的晶格結構差異和晶格常數失配。

11.根據權利要求9所述的電子設備，其中，所述第一鐵磁性層和所述第二鐵磁性層中的至少一個具有bcc(001)結構。

12.根據權利要求1所述的電子設備，還包括微處理器，所述微處理器包括：

控制單元，所述控制單元包括從外部設備接收包括命令的信號的輸入端口，并且執行以下至少一項：對所述命令進行提取、解碼，或者控制來自所述微處理器的信號輸入或向所述微處理器的信號輸出；

運算單元，所述運算單元包括與所述控制單元耦接以接收已解碼的命令的輸入端口，從而基于所述已解碼的命令來執行運算；和

存儲單元，所述存儲單元耦接到所述運算單元，并被配置為儲存用于執行所述運算的數據、與執行所述運算的結果相對應的數據或與所述運算相關聯的數據被儲存的地址，其中，所述半導體存儲器是所述微處理器中的所述存儲單元的一部分。

13.根據權利要求1所述的電子設備，還包括處理器，所述處理器包括：

核心單元，所述核心單元被配置為基于從與所述處理器通信的外部設備輸入的命令而通過使用數據來執行與所述命令相對應的運算；

高速緩沖存儲單元，所述高速緩沖存儲單元耦接到所述核心單元，并被配置為儲存用于執行所述運算的數據、與執行所述運算的結果相對應的數據或被執行所述運算的數據的地址；和

總線接口，所述總線接口耦接在所述核心單元與所述高速緩沖存儲單元之間，以在所述核心單元與所述高速緩沖存儲單元之間傳輸數據；

其中，所述高速緩沖存儲單元包括所述半導體存儲器。