[發明專利]封裝結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010869961.1
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN112447527A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 李苓瑋;張容華;黃震麟
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/485
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;鄭特強

提供封裝結構和封裝結構的形成方法，此方法包含形成導電結構于承載基板之上以及設置半導體晶粒于承載基板之上。此方法也包含形成保護層以圍繞導電結構與半導體晶粒。此方法也包含形成絕緣層于保護層之上。絕緣層具有開口暴露出導電結構的一部分。開口的寬度大于25微米。此外，此方法也包含形成導電層于絕緣層之上。導電層過量填充開口，且導電層具有大致平坦的頂面。導電層的一部分延伸橫跨導電結構的側壁。

技術領域

本公開實施例涉及一種封裝結構及其形成方法，且特別涉及具有扇出(fan-out)部件的封裝結構及其形成方法。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit，IC)產業已經經歷了快速的增長。半導體制造工藝的持續進步已經導致具有更精細部件和/或更高整合度的半導體裝置。功能密度(即，每單位芯片(chip)面積的互連裝置的數量)已普遍增加，同時特征尺寸(即，可使用制造工藝產生的最小組件)已減小。這種微縮過程通常可通過提高生產效率和降低相關成本來提供益處。

芯片封裝不僅為半導體裝置提供免于受到環境污染的保護，而且還為封裝于其中的半導體裝置提供連接接口(connection interface)。已經開發出利用較小面積或較低高度的較小封裝結構來封裝半導體裝置。

已經開發了新的封裝技術以進一步改善半導體晶粒(die)的密度和功能。這些相對新穎的半導體晶粒封裝技術面臨了制造挑戰。

發明內容

本公開實施例提供封裝結構的形成方法，此方法包含形成導電結構于承載基板之上以及設置半導體晶粒于承載基板之上。此方法也包含形成保護層以圍繞導電結構與半導體晶粒。此方法也包含形成絕緣層于保護層之上。絕緣層具有開口暴露出導電結構的一部分。開口的寬度大于25微米。此外，此方法也包含形成導電層于絕緣層之上。導電層過量填充開口，且導電層具有大致平坦的頂面。導電層的一部分延伸橫跨導電結構的側壁。

本公開實施例提供封裝結構的形成方法，此方法包含設置保護層以圍繞導電結構和半導體晶粒。此方法也包含形成第一絕緣層于保護層之上。第一絕緣層具有第一開口暴露出導電結構的一部分。此方法也包含使用由下而上沉積工藝，形成導電層于第一絕緣層之上，以過量填充第一開口。導電層的一部分延伸于開口之外，且延伸橫跨導電結構的側壁。此方法也包含形成第二絕緣層于導電層之上。第二絕緣層具有第二開口暴露出導電層的一部分。此方法也包含形成導電柱于導電層自第二開口暴露出來的部分之上。

本公開實施例提供封裝結構，此封裝結構包含彼此橫向隔開的導電結構與半導體晶粒。此封裝結構也包含圍繞導電結構和半導體晶粒的保護層。此封裝結構也包含位于保護層之上的絕緣層。此封裝結構也包含位于絕緣層之上且電性連接至導電結構的導電層。導電層具有大致平坦的頂面。導電層埋入絕緣層中的部分具有大于約25微米的寬度。

附圖說明

通過以下的詳細描述配合說明書附圖，可以更加理解本公開實施例的內容。需強調的是，根據產業上的標準慣例，許多部件(feature)僅用于說明目的，并未按照比例繪制。事實上，為了能清楚地討論，各種部件的尺寸可能被任意地增加或減少。

圖1A至圖1I是根據一些實施例顯示形成封裝結構的工藝的各種階段的剖面示意圖。

圖2A至圖2I是根據一些實施例顯示形成封裝結構的工藝的各種階段的剖面示意圖。

圖3是根據一些實施例顯示封裝結構的剖面示意圖。

附圖標記說明：

100：承載基板

102：粘著層

104：晶粒貼合膜

106A：半導體晶粒

106B：半導體晶粒

108：半導體基底