[發明專利]封裝結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010869961.1
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN112447527A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 李苓瑋;張容華;黃震麟
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/485
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;鄭特強

1.一種封裝結構的形成方法，包括：

形成一導電結構于一承載基板之上；

設置一半導體晶粒于該承載基板之上；

形成一保護層以圍繞該導電結構與該半導體晶粒；

形成一絕緣層于該保護層之上，其中該絕緣層具有一開口暴露出該導電結構的一部分，且該開口的寬度大于25微米；以及

形成一導電層于該絕緣層之上，其中該導電層過量填充該開口，使得該導電層的一部分延伸橫跨該導電結構的一側壁，且該導電層具有大致平坦的一頂面。

2.如權利要求1所述的封裝結構的形成方法，其中該導電層是使用一由下而上沉積工藝形成。

3.如權利要求1所述的封裝結構的形成方法，還包括：形成一導電柱于該導電層之上，其中該導電柱電性連接至該導電層。

4.如權利要求1所述的封裝結構的形成方法，還包括：在形成該導電結構之后且在設置該半導體晶粒之前，形成一重布線結構于該承載基板之上。

5.如權利要求4所述的封裝結構的形成方法，還包括：

設置一第二半導體晶粒于該承載基板之上；以及

在形成該重布線結構之前，形成一第二保護層于該承載基板之上，以圍繞該第二半導體晶粒，其中該重布線結構延伸橫跨該第二半導體晶粒與該第二保護層之間的一界面。

6.一種封裝結構的形成方法，包括：

設置一保護層以圍繞一導電結構和一半導體晶粒；

形成一第一絕緣層于該保護層之上，其中該第一絕緣層具有一第一開口暴露出該導電結構的一部分；

使用一由下而上沉積工藝，形成一導電層于該第一絕緣層之上，以過量填充該第一開口，其中該導電層的一部分延伸于該開口之外，且延伸橫跨該導電結構的一側壁；

形成一第二絕緣層于該導電層之上，其中該第二絕緣層具有一第二開口暴露出該導電層的一部分；以及

形成一導電柱于該導電層自該第二開口暴露出來的該部分之上。

7.如權利要求6所述的封裝結構的形成方法，還包括：在形成該導電層之前，形成一晶種層于該第一開口的側壁和底面。

8.一種封裝結構，包括：

一導電結構與一半導體晶粒，彼此橫向隔開；

一保護層，圍繞該導電結構和該半導體晶粒；

一絕緣層，位于該保護層之上；以及

一導電層，位于該絕緣層之上且電性連接至該導電結構，其中該導電層具有大致平坦的一頂面，且該導電層埋入該絕緣層中的一部分具有大于約25微米的寬度。

9.如權利要求8所述的封裝結構，還包括：一導電柱，位于該導電層之上，其中該導電柱電性連接至該導電層。

10.如權利要求9所述的封裝結構，其中該導電柱與該導電結構彼此未對準，且在該導電柱的垂直延伸方向上彼此未重疊。