[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010869563.X
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN112652594A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 山本紗矢香
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/50;H02M7/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 俞丹;宋俊寅

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

多個電路部；以及

第一連接部和第二連接部，該第一連接部和該第二連接部由板狀的導電材料形成并連接于任一個電路部，

所述第一連接部和所述第二連接部各自的主面相對而配置，

所述第一連接部和所述第二連接部分別具有：

電路連接端部，該電路連接端部連接于所述電路部；以及

路徑限制部，該路徑限制部限制所述主面的電流路徑，

在所述路徑限制部與所述電路連接端部之間的所述電流路徑流通的電流的方向在所述第一連接部和所述第二連接部不同。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述路徑限制部與所述電路連接端部之間的所述電流路徑流通的電流的方向在所述第一連接部和所述第二連接部相反。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一連接部和所述第二連接部分別以至少一部分的電流圍繞所述路徑限制部的周圍的方式配置所述電路連接端部和所述路徑限制部，

電流圍繞所述路徑限制部的周圍的方向在所述第一連接部和所述第二連接部相反。

4.如權利要求1至3的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一連接部和所述第二連接部各自的主面平行地配置。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一連接部和所述第二連接部具有在與所述主面正交的方向上重疊的重疊區域，

所述第一連接部和所述第二連接部的所述路徑限制部具有沿第一方向延伸的一條以上的第一狹縫，

在所述重疊區域，設置在所述第一連接部的所述第一狹縫的條數和設置在所述第二連接部的所述第一狹縫的條數相同。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一連接部和所述第二連接部的所述路徑限制部具有沿與所述第一方向不同的第二方向延伸的一條以上的第二狹縫，

在所述重疊區域，設置在所述第一連接部的所述第二狹縫的條數和設置在所述第二連接部的所述第二狹縫的條數相同。

7.如權利要求5或6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一連接部的上端和所述第二連接部的上端配置在相同的高度，

在所述重疊區域，將設置在所述第一連接部的所述第一狹縫和設置在所述第二連接部的所述第一狹縫配置在相同的高度。

8.如權利要求5或6所述的半導體裝置，其特征在于，

將所述第一連接部的上端配置在比所述第二連接部的上端要高的位置，

在所述重疊區域，將設置在所述第一連接部的所述第一狹縫配置在比設置在所述第二連接部的所述第一狹縫要高的位置。

9.如權利要求5至8的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一連接部的所述第一狹縫的寬度與所述第二連接部的所述第一狹縫的寬度不同。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一連接部的厚度大于所述第二連接部的厚度，

所述第一連接部的所述第一狹縫的寬度大于所述第二連接部的所述第一狹縫的寬度。

11.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第一連接部流通的電流大于在所述第二連接部流通的電流，

所述第一連接部的所述第一狹縫的寬度大于所述第二連接部的所述第一狹縫的寬度。