[發(fā)明專利]一種量子點發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010869025.0
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN114122270B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發(fā)明（設計）人: 夏思雨;楊一行
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H10K50/115
• 分類號: H10K50/115;H10K71/00;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 溫宏梅

本發(fā)明公開一種量子點發(fā)光二極管及其制備方法，量子點發(fā)光二極管包括：陽極，陰極，設置在陽極與陰極之間的量子點發(fā)光層，設置在陽極與量子點發(fā)光層之間的PEDOT:PSS層，以及設置在PEDOT:PSS層與量子點發(fā)光層之間的間隔層，間隔層的材料為硫硒化銻納米顆粒，硫硒化銻納米顆粒的化學式為Sbsubgt;2/subgt;(Ssubgt;1?x/subgt;Sesubgt;x/subgt;)subgt;3/subgt;，其中，0x1。本發(fā)明的硫硒化銻間隔層的引入解決了PEDOT：PSS層易受潮而對QLED的各功能層造成破壞，提高了QLED的穩(wěn)定性；同時增加了載流子遷移速率，有效平衡了QLED的電子傳輸速率與空穴傳輸速率，提高了空穴和電子在發(fā)光層復合的效率，提高了QLED的發(fā)光性能。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領域，尤其涉及一種量子點發(fā)光二極管及其制備方法。

背景技術(shù)

量子點(quantum?dot，QD)由于具有光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色可調(diào)、量子產(chǎn)額高等優(yōu)點，加上可利用印刷工藝制備，所以基于量子點的發(fā)光二極管(即量子點發(fā)光二極管，QLED)近年來受到人們的普遍關注，其器件性能指標也發(fā)展迅速。目前，盡管通過對量子點的改進以及QLED結(jié)構(gòu)的不斷優(yōu)化，現(xiàn)有QLED的性能(包括器件效率和壽命)得到了大幅度的提高，但是其效率與產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的要求還相差較遠。

目前研究的QLED大部分應用有機半導體材料作為載流子注入層或傳輸層，如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)和N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(TPD)等，其中PEDOT：PSS具有優(yōu)異的空穴遷移率和成膜性，通常被用作空穴注入層材料，但該物質(zhì)呈弱酸性，且具有易吸水的PSS單元容易受潮，將會對同屬有機半導體的空穴傳輸層造成影響，最終會影響QLED的發(fā)光效率、發(fā)光均勻性、壽命和穩(wěn)定性。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種量子點發(fā)光二極管及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有以PEDOT：PSS為空穴注入層的材料的QLED中的PSS易受潮對QLED的其它功能層造成破壞的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種量子點發(fā)光二極管，包括：陽極，陰極，設置在所述陽極與所述陰極之間的量子點發(fā)光層，設置在所述陽極與所述量子點發(fā)光層之間的PEDOT:PSS層，以及設置在所述PEDOT:PSS層與所述量子點發(fā)光層之間的間隔層，所述間隔層的材料為硫硒化銻納米顆粒，所述硫硒化銻納米顆粒的化學式為Sb₂(S_1-xSe_x)₃，其中，0x1。

一種量子點發(fā)光二極管的制備方法，包括步驟：

提供陽極；

在所述陽極上形成PEDOT:PSS層；

在所述PEDOT:PSS層上形成間隔層；

在所述間隔層上形成量子點發(fā)光層；

在所述量子點發(fā)光層上形成陰極；

或者，

提供陰極；

在所述陰極上形成量子點發(fā)光層；

在所述量子點發(fā)光層上形成間隔層；

在所述間隔層上形成PEDOT:PSS層；

在所述PEDOT:PSS層上形成陽極；