[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 202010869025.0
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN114122270B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發明（設計）人: 夏思雨;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H10K50/115
• 分類號: H10K50/115;H10K71/00;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 溫宏梅

1.一種量子點發光二極管，其特征在于，包括：陽極，陰極，設置在所述陽極與所述陰極之間的量子點發光層，設置在所述陽極與所述量子點發光層之間的PEDOT:PSS層，以及設置在所述PEDOT:PSS層與所述量子點發光層之間的間隔層，所述間隔層的材料為硫硒化銻納米顆粒，所述硫硒化銻納米顆粒的化學式為Sb₂(S_1-xSe_x)₃，其中，0x1。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述硫硒化銻納米顆粒的粒徑為10~30nm。

3.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述間隔層的厚度為20~50nm。

4.一種量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供陽極；

在所述陽極上形成PEDOT:PSS層；

在所述PEDOT:PSS層上形成間隔層；

在所述間隔層上形成量子點發光層；

在所述量子點發光層上形成陰極；

所述間隔層的材料為硫硒化銻納米顆粒，所述硫硒化銻納米顆粒的化學式為Sb₂(S_1-xSe_x)₃，其中，0x1；

或者，

提供陰極；

在所述陰極上形成量子點發光層；

在所述量子點發光層上形成間隔層；

在所述間隔層上形成PEDOT:PSS層；

在所述PEDOT:PSS層上形成陽極；

所述間隔層的材料為硫硒化銻納米顆粒，所述硫硒化銻納米顆粒的化學式為Sb₂(S_1-xSe_x)₃，其中，0x1。

5.根據權利要求4所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述硫硒化銻納米顆粒的制備方法包括步驟：將Sb粉、Se粉、S粉加入到胺類配體與硫醇溶劑的混合液中進行反應，得到硫硒化銻納米顆粒。

6.根據權利要求5所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述Sb粉、Se粉、S粉的摩爾比為3:4(1-y):4y，其中，0.1≤y≤0.8。

7.根據權利要求5所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述胺類配體選自乙二胺、1,2-丙二胺和1,3-丙二胺中的一種或多種。

8.根據權利要求5所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述硫醇溶劑選自1,2-乙二硫醇、1,3-丙二硫醇和1,4-丁二硫醇中的一種或多種。

9.根據權利要求5所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述混合液中，所述胺類配體與硫醇溶劑的摩爾比為1:5~15。

10.根據權利要求5所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述反應的溫度為70~90℃，和/或，所述反應的時間為9~12h。