[發明專利]封裝件及其形成方法

在審

• 申請號: 202010868186.8
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN112436001A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 余振華;潘國龍;鄭淑蓉;賴季暉;郭庭豪;蔡豪益;劉重希
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/98
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種封裝件包括：封裝襯底；中介層，位于封裝襯底上方并且接合至封裝襯底；第一晶圓，位于中介層上方并且接合至中介層；以及第二晶圓，位于第一晶圓上方并且接合至第一晶圓。第一晶圓中具有獨立的無源器件管芯。第二晶圓中具有有源器件管芯。本發明的實施例還涉及封裝件的形成方法。

技術領域

本發明的實施例涉及封裝件及其形成方法。

背景技術

集成電路的封裝件變得越來越復雜，更多的器件管芯封裝在同一封裝件中以形成具有更多功能的系統。封裝件中經常使用獨立的無源器件(IPD)，它們是分立器件。

在用于形成封裝件的常規方法中，將IPD接合至封裝襯底。然而，這導致IPD與訪問IPD的相應計算管芯之間的路徑較長。而且，存儲器管芯也接合至封裝襯底。這也導致存儲器管芯與計算管芯之間的路徑較長，并且降低計算性能。

發明內容

本發明的實施例提供了一種封裝件，包括：封裝襯底；中介層，位于所述封裝襯底上方并且接合至所述封裝襯底；第一晶圓，位于所述中介層上方并且接合至所述中介層，其中，所述第一晶圓中包括獨立的無源器件管芯；以及第二晶圓，位于所述第一晶圓上方并且接合至所述第一晶圓，其中，所述第二晶圓中包括有源器件管芯。

本發明的另一實施例提供了一種封裝件，包括：多個獨立的無源器件管芯，形成第一陣列，其中，所述多個獨立的無源器件管芯中包括襯底通孔；多個有源器件管芯，形成第二陣列，其中，所述多個有源器件管芯與所述多個獨立的無源器件管芯重疊并且接合至所述多個獨立的無源器件管芯；封裝襯底，位于所述多個獨立的無源器件管芯下面；以及多個電源模塊，與所述多個獨立的無源器件管芯和所述多個有源器件管芯重疊，其中，所述多個電源模塊電連接至所述多個獨立的無源器件管芯和所述多個有源器件管芯。

本發明的又一實施例提供了一種形成封裝件的方法，包括：將中介層與第一封裝件接合，其中，所述第一封裝件包括：晶圓，所述晶圓中包括多個器件管芯，其中，所述多個器件管芯中的半導體襯底連續地連接為集成襯底；和多個無源器件管芯，與所述晶圓接合，其中，所述多個無源器件管芯接合在所述中介層與所述晶圓之間；將所述中介層接合至所述封裝襯底；以及將電源模塊接合至所述封裝襯底，其中，所述電源模塊位于所述封裝襯底的與所述中介層相對的一側上。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該強調，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制并且僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1至圖3、圖4A、圖4B、圖5至圖10、圖11A和圖11B示出了根據一些實施例的形成封裝件的中間階段的截面圖、頂視圖和立體圖。

圖12A和圖12B分別示出了根據一些實施例的封裝件的立體圖和平面圖。

圖13A、圖13B、圖14A、圖14B、圖15至圖19、圖20A和圖20B示出了根據一些實施例的形成封裝件的中間階段的截面圖、頂視圖和立體圖。

圖21A、圖21B、圖21C、圖21D、圖21E和圖21F示出了根據一些實施例的中介層。

圖22至圖24示出了根據一些實施例的在使用各向異性導電膜作為中介層時的中間階段的截面圖。

圖25示出了根據一些實施例的用于形成封裝件的工藝流程。

具體實施方式