[發(fā)明專(zhuān)利]一種晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜方法及鍍膜設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010866338.0
• 申請(qǐng)日: 2020-08-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111733399A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫越;林綱正;陳剛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/02
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/02;C23C16/44;H01J37/32;H01L21/02;H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 33100
• 代理人: 金麗英

1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜方法，其特征在于：包括以下步驟；

步驟一，采用紫外清洗系統(tǒng)對(duì)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的緩存?zhèn)}進(jìn)行紫外清洗；

步驟二，將退火后的硅片置于所述緩存?zhèn)}中，采用紫外清洗系統(tǒng)對(duì)所述硅片進(jìn)行紫外清洗，再對(duì)所述硅片進(jìn)行背鈍化層的制備；

步驟三，采用紫外清洗系統(tǒng)對(duì)所述緩存?zhèn)}進(jìn)行紫外清洗；

步驟四，將所述鍍完背鈍化層后的硅片置于所述緩存?zhèn)}中，采用紫外清洗系統(tǒng)對(duì)所述鍍完背鈍化層后的硅片進(jìn)行紫外清洗，再對(duì)所述鍍完背鈍化層后的硅片進(jìn)行正膜減反層的制備。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜方法，其特征在于：所述步驟一中紫外清洗時(shí)間為10至30分鐘。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜方法，其特征在于：所述步驟二中紫外清洗時(shí)間為10至30分鐘。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜方法，其特征在于：所述步驟三中紫外清洗時(shí)間為10至30分鐘。

5.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜方法，其特征在于：所述步驟四中紫外清洗時(shí)間為10至30分鐘。

6.如權(quán)利要求1至5任一所述的晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜方法，其特征在于：所述紫外清洗方法為，利用185納米的紫外光首先將空氣中的氧氣分解成臭氧，利用254納米的紫外光再將臭氧分解成氧氣和活性氧，通過(guò)活性氧與有機(jī)分子發(fā)生氧化反應(yīng)，生成的揮發(fā)性氣體逃逸，實(shí)現(xiàn)了表面清洗。

7.一種晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜設(shè)備，包括等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備機(jī)臺(tái)、緩存?zhèn)}，其特征在于：所述緩存?zhèn)}內(nèi)設(shè)有紫外清洗系統(tǒng)，所述紫外清洗系統(tǒng)包括兩種紫外燈管、反光罩，兩種所述紫外燈管發(fā)出的紫外光波長(zhǎng)分別為185納米和254納米。