[發明專利]一種晶體硅太陽能電池鍍膜方法及鍍膜設備

在審

• 申請號: 202010866338.0
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN111733399A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 孫越;林綱正;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/44;H01J37/32;H01L21/02;H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 金麗英

本發明公開一種晶體硅太陽能電池鍍膜方法，其特征在于：包括以下步驟；步驟一，采用UV紫外清洗系統對PECVD緩存倉進行UV紫外清洗；步驟二，將退火后的硅片置于所述緩存倉中，采用UV紫外清洗系統對所述硅片進行UV紫外清洗，再對所述硅片進行背鈍化層的制備；步驟三，采用UV紫外清洗系統對所述緩存倉進行氧化清洗；步驟四，將所述鍍完背鈍化層后的硅片置于所述緩存倉中，采用UV紫外清洗系統對所述鍍完背鈍化層后的硅片進行氧化清洗，再對所述鍍完背鈍化層后的硅片進行正膜減反層的制備。本發明通過在PECVD緩存倉中增加UV清洗系統，有效改善了硅片表面的浸潤性以及清潔度，提升了電池片的膜色均勻性。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，尤其是一種晶體硅太陽能電池鍍膜方法及鍍膜設備。

背景技術

晶體硅（Si）電池作為太陽能電池的主導產品，生產成本日益降低，生產工藝日趨完善，但隨著效率即將達到效率瓶頸，提升電池的效率同時美觀性也就成為客戶的潛在需求之一。

晶體硅太陽能電池的制備流程一般包括制絨、擴散、正面激光、退火、背面鈍化膜、正面鈍化膜、背面激光、絲網印刷、燒結等步驟。

在硅片上鍍背面鈍化膜、正面鈍化膜步驟一般采用管式的PECVD（PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，等離子增強化學氣相沉積）鍍膜工藝，在工藝過程中雖然等離子體能夠對改善物體表面的浸潤性和鍍膜均勻性，但是管式PECVD中等離子體無法直接對硅片表面直接進行清洗，無法起到清洗的作用，因此在進行鍍膜工藝后會存在色差片、臟污片等B級片的現象。暴露在空氣中的硅片表面會主動吸附灰塵、有機分子等雜質，同時作業員的違規操作也會造成硅片的污染（手指印），這些潛在的因素都會導致PECVD鍍膜后顏色的差異。而目前客戶普遍喜歡顏色均勻且膜色較深的電池片。因此，急需開發一種改善晶體硅太陽能電池鍍膜均勻性的方法，改善PECVD的鍍膜均勻性，提升器件美觀性。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：傳統晶體硅太陽能電池鍍膜方法存在鍍膜后顏色有差異的問題。

本發明解決該技術問題采用的技術方案是：

一種晶體硅太陽能電池鍍膜方法，其特征在于：包括以下步驟；

步驟一，采用紫外清洗系統對等離子增強化學氣相沉積設備的緩存倉進行紫外清洗；

步驟二，將退火后的硅片置于所述緩存倉中，采用紫外清洗系統對所述硅片進行紫外清洗，再對所述硅片進行背鈍化層的制備；

步驟三，采用紫外清洗系統對所述緩存倉進行紫外清洗；

步驟四，將所述鍍完背鈍化層后的硅片置于所述緩存倉中，采用紫外清洗系統對所述鍍完背鈍化層后的硅片進行紫外清洗，再對所述鍍完背鈍化層后的硅片進行正膜減反層的制備。

作為優選，所述步驟一中紫外清洗時間為10至30分鐘。

作為優選，所述步驟二中紫外清洗時間為10至30分鐘。

作為優選，所述步驟三中紫外清洗時間為10至30分鐘。

作為優選，所述步驟四中紫外清洗時間為10至30分鐘。

作為優選，所述紫外清洗方法為，利用185納米的紫外光首先將空氣中的氧氣分解成臭氧，利用254納米的紫外光再將臭氧分解成氧氣和活性氧，通過活性氧與有機分子發生氧化反應，生成的揮發性氣體逃逸，實現了表面清洗。

一種晶體硅太陽能電池鍍膜設備，包括等離子增強化學氣相沉積設備的機臺、緩存倉，其特征在于：所述緩存倉內設有紫外清洗系統，所述紫外清洗系統包括兩種紫外燈管、反光罩，兩種所述紫外燈管發出的紫外光波長分別為185納米和254納米。