[發明專利]一種氧化銀薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202010864474.6
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN111893428B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 徐偉;黃冬梅;張慶瑜;暹娜塔·塞拉帕帕;凱維吉特·倫納帕;申渝;王建輝;陳佳;梅遠飛;高旭;范聰;張冰;郭智威
• 申請（專利權）人: 重慶工商大學;重慶大學;重慶南向泰斯環保技術研究院有限公司
• 主分類號: C23C8/36
• 分類號: C23C8/36
• 代理公司: 重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙) 50217
• 代理人: 艾誠璐

1.一種氧化銀薄膜的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

A、準備實驗箱，實驗箱內安裝有等離子發生器，將帶有銀膜的基片固定在實驗箱內；

B、對基片進行加熱；

C、向實驗箱內沖入氧氣或氧氣與惰性氣體的混合氣體,給等離子發生器通電，產生氧等離子體；

D、使帶有銀膜的基片浸潤到等離子體中，銀膜在氧等離子體的作用下形成薄膜；

所述薄膜具有納米多孔結構，或表面分布納米塊狀結構，或表面分布納米片狀結構；

在實驗箱氣壓為0.3Pa，氧等離子體中氧原子密度為3.3×10¹²cm^-3，基片溫度為40和80℃時，銀膜氧化成表面均勻分布納米塊狀結構的AgO薄膜；基片溫度為150℃時，銀膜氧化成具有納米多孔結構的Ag₂O薄膜；

在基片溫度為40℃，氧等離子體中氧原子密度為1.0×10¹³cm^-3～3.0×10¹⁴cm^-3，實驗箱內氣壓為1Pa和10Pa時，銀膜被氧化成表面分布納米片狀結構的AgO薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種氧化銀薄膜的制備方法，其特征在于：所述薄膜為Ag₂O薄膜或AgO薄膜。

3.根據權利要求1所述的一種氧化銀薄膜的制備方法，其特征在于：所述基片的厚度為300nm，氧化時間為30min。

4.根據權利要求3所述的一種氧化銀薄膜的制備方法，其特征在于：實驗箱的氣壓為1Pa時，所述納米片狀結構的平均高度為240nm；實驗箱的氣壓為10Pa時，所述納米片狀結構的平均高度為430nm。

5.根據權利要求3所述的一種氧化銀薄膜的制備方法，其特征在于：在基片溫度為40℃，氧等離子體中氧原子密度為1.0×10¹³cm^-3～3.0×10¹⁴cm^-3，實驗箱內氣壓為20Pa和50Pa時，銀膜被氧化成具有納米多孔結構的AgO薄膜。

6.根據權利要求1所述的一種氧化銀薄膜的制備方法，其特征在于：所述實驗箱內設置有用于固定基片的樣品托盤，樣品托盤轉動連接在實驗箱頂部，樣品托盤設置有加熱器，所述等離子發生器位于樣品托盤下方。