[發明專利]一種氧化銀薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202010864474.6
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN111893428B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 徐偉;黃冬梅;張慶瑜;暹娜塔·塞拉帕帕;凱維吉特·倫納帕;申渝;王建輝;陳佳;梅遠飛;高旭;范聰;張冰;郭智威
• 申請（專利權）人: 重慶工商大學;重慶大學;重慶南向泰斯環保技術研究院有限公司
• 主分類號: C23C8/36
• 分類號: C23C8/36
• 代理公司: 重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙) 50217
• 代理人: 艾誠璐

本發明涉及材料制備技術領域，具體為一種氧化銀薄膜的制備方法，包括如下步驟：A、準備實驗箱，實驗箱內安裝有等離子發生器，將帶有銀膜的基片固定在實驗箱內；B、對基片進行加熱；C、向實驗箱內沖入氧氣或氧氣與惰性氣體的混合氣體,給等離子發生器通電，產生氧等離子體；D、使帶有銀膜的基片浸潤到等離子體中，銀膜在氧等離子體的作用下形成薄膜。本發明制備出來的氧化銀薄膜具有不同的納米結構，能夠解決普通致密薄膜應用時比表面積低、反應位點少的問題。

技術領域

本發明涉及薄膜材料制備技術領域，具體為一種氧化銀薄膜的制備方法。

背景技術

氧化銀薄膜，其表面效應、廣譜強抑菌性、光催化活性、強氧化性、強吸光性等特性，使其在醫療、化工、儲能、傳感等領域應用廣泛。

現有技術中，氧化銀薄膜多通過物理氣相沉積和化學氣象沉積方法制備，采用現有技術制備的氧化銀薄膜比較致密，并無納米結構，影響其在實際應用中的物理、化學性質。例如在作為光催化薄膜運用時，這種致密結構的氧化銀薄膜對光子的吸收能力差、與反應物接觸面積小，影響光催化薄膜的降解效率。

發明內容

本發明意在提供一種氧化銀薄膜的制備方法，以解決現有的制備方法難以制備出具有納米多孔結構的氧化銀薄膜的問題。

為了達到上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種氧化銀薄膜的制備方法，包括如下步驟：

A、準備實驗箱，實驗箱內安裝有等離子發生器，將帶有銀膜的基片固定在實驗箱內；

B、對基片進行加熱；

C、向實驗箱內沖入氧氣或氧氣與惰性氣體的混合氣體,給等離子發生器通電，產生氧等離子體；

D、使帶有銀膜的基片浸潤到等離子體中，銀膜在氧等離子體的作用下形成薄膜。

本方案的原理和有益效果為：

基片作為銀膜的載體，將基片置于實驗箱內，能夠給銀膜提供一個相對密封的氧化環境，從而便于控制氧等離子體的量以及基片的加熱溫度。本方案使處于一定溫度的帶有銀膜的基片，在氧等離子體的作用下直接氧化形成氧化銀薄膜，相比現有技術通過物理氣相沉積或化學氣相沉積在基片上沉積氧化銀薄膜的方法而言，不僅降低了設備的成本，且制備的氧化銀薄膜具有不同納米結構，能夠提高其物理和化學性質，在實際運用時更受歡迎。

進一步，薄膜具有納米多孔結構，或表面分布納米塊狀結構，或表面分布納米片狀結構。

有益效果：不管是具有納米多孔結構還是表面分布塊狀和片狀結構，相比現有技術中致密結構的薄膜而言，本方案制備的薄膜在實際運用時反應面積均得到了有效的增大，提高了其應用時的反應速度，薄膜的性質更優。

進一步，薄膜為Ag₂O薄膜或AgO薄膜。

有益效果：本發明的方法不僅能夠制備出Ag₂O薄膜，還能夠制備出AgO薄膜，適用范圍廣。

進一步，基片的厚度為300nm，氧化時間為30min。

有益效果：如此設置能夠更好的氧化銀膜。

進一步，在實驗箱氣壓為0.3Pa，氧等離子體中氧原子密度為3.3×10¹²cm^-3，基片溫度為40和80℃時，銀膜氧化成表面均勻分布納米塊狀結構的AgO薄膜。

有益效果：在此條件下，能夠得到表面均勻分布納米塊狀結構的AgO薄膜。

進一步，在實驗箱氣壓為0.3Pa，氧等離子體中氧原子密度為3.3×10¹²cm^-3，基片溫度為150℃時，銀膜氧化成具有納米多孔結構的Ag₂O薄膜。