[發明專利]基底選擇性熱電轉換CoMnSbV薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202010862797.1
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN112030124B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 藍碧健
• 申請（專利權）人: 太倉碧奇新材料研發有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58;C23C14/16;H01L35/02;H01L35/20;H01L35/34
• 代理公司: 蘇州市方略專利代理事務所(普通合伙) 32267
• 代理人: 朱智杰

1.一種基底選擇性熱電轉換CoMnSbV薄膜的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：

將無機基底置于磁控濺射鍍膜機中，磁控濺射真空室的真空度為3.0×10^-4 Pa，工作氣體為氬氣，氣體流量為30~40 ml/min，工作氣壓維持在0.5~0.7 Pa，靶材與基底距離為65~70mm，Mn-Sb 二元復合靶采用射頻濺射，濺射功率為50 ~70W；Co、V 靶采用直流濺射，濺射功率為30~60 W；先沉積MnSb 層4 ~6分鐘，再沉積Co 層20 ~30秒，然后沉積V層20~30 秒，如此反復循環20~25 次，最后在磁控濺射真空室內，于300~350 ℃退火1~2 h，得基底選擇性熱電轉換CoMnSbV薄膜；

其中，無機基底為氟化鈣晶體、氯化鈉晶體、溴化鉀晶體、氟化鎂晶體中的任意一種；

其中，基底選擇性熱電轉換CoMnSbV薄膜的厚度為80~120nm。

2.如權利要求1所述的基底選擇性熱電轉換CoMnSbV薄膜的制備方法，其特征在于，基底選擇性熱電轉換CoMnSbV薄膜的熱電優值如下：

以氟化鈣晶體為無機基底的基底選擇性熱電轉換CoMnSbV薄膜的熱電優值為1.83~2.05；

以氯化鈉晶體為無機基底的基底選擇性熱電轉換CoMnSbV薄膜的熱電優值為1.86~2.01；

以溴化鉀晶體為無機基底的基底選擇性熱電轉換CoMnSbV薄膜的熱電優值為1.91~2.16；

以氟化鎂晶體為無機基底的基底選擇性熱電轉換CoMnSbV薄膜的熱電優值為1.88~2.13。