[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010862440.3
• 申請(qǐng)日: 2020-08-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112802800A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高廷旼;姜亨汶;樸商植;宋炫俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/13
• 分類號(hào): H01L23/13;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/18
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜

一種半導(dǎo)體封裝件包括：緩沖件；芯片堆疊件，所述芯片堆疊件安裝在所述緩沖件上；粘合劑層，所述粘合劑層設(shè)置在所述緩沖件與所述芯片堆疊件之間；以及模塑材料，所述模塑材料圍繞所述芯片堆疊件。所述緩沖件包括相鄰于所述緩沖件的多個(gè)邊緣設(shè)置的多個(gè)溝槽。每個(gè)所述溝槽比所述緩沖件的芯片區(qū)域的相應(yīng)的相鄰邊緣短。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2019年11月13日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2019-0145294的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)的示例性實(shí)施例涉及能夠減少封裝件中的缺陷(例如，由粘合劑層的膠瘤(fillet)的泄漏引起的吸濕或脫層(delamination))的發(fā)生的半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)

在包括芯片堆疊件的半導(dǎo)體封裝件中，可以使用非導(dǎo)電膜(NCF)來(lái)結(jié)合彼此堆疊的各個(gè)芯片，和/或?qū)⑿酒询B件的最下面的芯片結(jié)合到緩沖件或基板。在這種情況下，NCF設(shè)置在豎直相鄰的芯片之間或設(shè)置在最下面的芯片與緩沖件之間，然后擠壓這些組件，從而使其彼此結(jié)合。

在擠壓工藝中，NCF可能逸出到芯片區(qū)域的外部，并且可能形成膠瘤。豎直堆疊的芯片之間的NCF的膠瘤可能在芯片的邊緣上沿向上-向下的方向擴(kuò)展，但是因?yàn)榫彌_件比芯片具有更大的面積，所以最下面的芯片與緩沖件之間的NCF的膠瘤可能僅沿向上的方向擴(kuò)展。即，最下面的芯片與緩沖件之間的NCF的膠瘤可能沿水平方向過(guò)多地?cái)U(kuò)展，并且可能與相鄰封裝件的芯片堆疊件接觸，這可能導(dǎo)致裂紋。此外，膠瘤可能泄漏到封裝件的模塑材料的外部，這可能導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝件中的缺陷，例如吸濕或脫層。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的示例性實(shí)施例提供了一種包括芯片堆疊件和形成在緩沖件中以容納粘合劑層的膠瘤的溝槽的半導(dǎo)體封裝件，從而使粘合劑層的膠瘤的寬度保持基本上恒定，并減少可能由于膠瘤泄漏到封裝件的外部所導(dǎo)致的諸如吸濕或脫層的缺陷的發(fā)生。

根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件可以包括：緩沖件；芯片堆疊件，所述芯片堆疊件安裝在所述緩沖件上；粘合劑層，所述粘合劑層設(shè)置在所述緩沖件與所述芯片堆疊件之間；以及模塑材料，所述模塑材料圍繞所述芯片堆疊件。所述緩沖件包括相鄰于所述緩沖件的多個(gè)邊緣設(shè)置的多個(gè)溝槽。每個(gè)所述溝槽比所述緩沖件的芯片區(qū)域的相應(yīng)的相鄰邊緣短。

根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件包括：緩沖件；芯片堆疊件，所述芯片堆疊件安裝在所述緩沖件上；粘合劑層，所述粘合劑層設(shè)置在所述緩沖件與所述芯片堆疊件之間；以及模塑材料，所述模塑材料圍繞所述芯片堆疊件。所述緩沖件包括溝槽。在所述半導(dǎo)體封裝件的俯視圖中，所述溝槽具有框形狀。所述溝槽的每個(gè)側(cè)的中心部分比所述溝槽的每個(gè)側(cè)的拐角部分具有更大的深度。

根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件包括：緩沖件；芯片堆疊件，所述芯片堆疊件安裝在所述緩沖件上；粘合劑層，所述粘合劑層設(shè)置在所述緩沖件與所述芯片堆疊件之間；以及模塑材料，所述模塑材料圍繞所述芯片堆疊件。所述緩沖件包括：芯片區(qū)域，在所述半導(dǎo)體封裝件的俯視圖中，所述芯片區(qū)域由所述芯片堆疊件占據(jù)；多個(gè)緩沖凸塊，所述多個(gè)緩沖凸塊設(shè)置在所述緩沖件的頂表面上；以及多個(gè)溝槽，所述多個(gè)溝槽被設(shè)置為相鄰于所述緩沖件的多個(gè)邊緣。所述芯片堆疊件包括：多個(gè)芯片，所述多個(gè)芯片彼此堆疊；以及多個(gè)芯片間粘合劑層，所述多個(gè)芯片間粘合劑層設(shè)置在所述多個(gè)芯片之間。所述多個(gè)芯片均包括多個(gè)芯片凸塊。所述粘合劑層包括膠瘤。所述膠瘤的一部分位于所述多個(gè)溝槽中的至少一個(gè)溝槽中。所述多個(gè)溝槽中的每個(gè)溝槽的長(zhǎng)度是所述緩沖件的所述芯片區(qū)域的相應(yīng)的相鄰邊緣的長(zhǎng)度的約50％至約90％。在所述俯視圖中，所述多個(gè)溝槽中的每個(gè)溝槽的內(nèi)側(cè)表面位于所述芯片區(qū)域內(nèi)。在所述俯視圖中，所述多個(gè)溝槽中的每個(gè)溝槽的外側(cè)表面位于所述芯片區(qū)域的外部。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，本公開(kāi)的上述和其他特征將變得更加明顯，在附圖中：