[發明專利]半導體存儲器裝置及半導體存儲器裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202010861711.3
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN113130506A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 李南宰
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：

在第一方向上延伸的第一溝道結構和第二溝道結構；

單元層疊結構，所述單元層疊結構包括層間絕緣層和導電圖案，所述層間絕緣層和所述導電圖案在所述第一方向上交替地設置并且延伸以圍繞所述第一溝道結構和所述第二溝道結構；

第一源極選擇線，所述第一源極選擇線與所述單元層疊結構的第一區域交疊并且圍繞所述第一溝道結構；以及

第二源極選擇線，所述第二源極選擇線與所述單元層疊結構的第二區域交疊并且圍繞所述第二溝道結構，

其中，所述第一源極選擇線和所述第二源極選擇線中的每一者包括與所述單元層疊結構交疊的第一選擇柵極層、設置在所述第一選擇柵極層和所述單元層疊結構之間的第二選擇柵極層以及設置在所述第一選擇柵極層和所述第二選擇柵極層之間的第三選擇柵極層。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一源極選擇線的所述第三選擇柵極層從所述第一溝道結構的側壁延伸到所述第一源極選擇線的所述第二選擇柵極層和所述單元層疊結構之間，并且

所述第二源極選擇線的所述第三選擇柵極層從所述第二溝道結構的側壁延伸到所述第二源極選擇線的所述第二選擇柵極層和所述單元層疊結構之間。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括：

源極選擇隔離結構，所述源極選擇隔離結構與所述單元層疊結構的設置在所述第一區域和所述第二區域之間的第三區域交疊，其中，所述第一源極選擇線和所述第二源極選擇線通過所述源極選擇隔離結構彼此隔離；

第三溝道結構，所述第三溝道結構貫穿所述第一源極選擇線和所述單元層疊結構的所述第一區域，其中，所述第三溝道結構比所述第一溝道結構與所述源極選擇隔離結構間隔開更遠；以及

第四溝道結構，所述第四溝道結構貫穿所述第二源極選擇線和所述單元層疊結構的所述第二區域，其中，所述第四溝道結構比所述第二溝道結構與所述源極選擇隔離結構間隔開更遠。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括：

第一阻擋絕緣圖案，所述第一阻擋絕緣圖案在所述第一溝道結構和所述第三溝道結構之間圍繞所述第一源極選擇線的所述第二選擇柵極層；以及

第二阻擋絕緣圖案，所述第二阻擋絕緣圖案在所述第二溝道結構和所述第四溝道結構之間圍繞所述第二源極選擇線的所述第二選擇柵極層。

5.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括第一阻擋絕緣圖案，所述第一阻擋絕緣圖案在所述第一溝道結構和所述第三溝道結構之間圍繞所述第一源極選擇線的所述第二選擇柵極層，

其中，所述第一阻擋絕緣圖案設置在與所述第三選擇柵極層相同的水平。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括漏極選擇線，所述漏極選擇線延伸以圍繞所述第一溝道結構和所述第二溝道結構。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一選擇柵極層比所述第二選擇柵極層和所述第三選擇柵極層更厚。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第二選擇柵極層的電阻低于所述第一選擇柵極層和所述第三選擇柵極層中的每一個的電阻。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第三選擇柵極層比所述第一選擇柵極層和所述第二選擇柵極層更薄。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述導電圖案的電阻低于所述第一選擇柵極層的電阻。

11.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第二選擇柵極層包括與所述導電圖案相同的導電材料。