[發明專利]存儲器子系統的讀取電壓輔助制造測試

在審

• 申請號: 202010861660.4
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN112447255A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 振剛·陳;謝廷俊;S·M·波普
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44;G11C29/50
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及存儲器子存儲器的讀電壓輔助制造測試。處理裝置通過經由存取多個讀取電壓電平來驗證每個讀取電壓電平是否落入對應的相對電壓范圍內來測試每個存儲器管芯。所述處理裝置選擇初始讀取電壓電平，以在所述存儲器管芯的第一最短寫入到讀取W2R延遲或第二最短寫入到讀取W2R延遲中的一個處實現不滿足閾值標準的誤碼率，并且使用所述初始讀取電壓電平確定所述存儲器管芯的存儲單元的誤碼率。所述處理裝置響應于以下各項中的一個，將所述存儲器管芯報告為有缺陷：(i)所述多個讀取電壓電平中的讀取電壓電平未通過驗證；或(ii)所述存儲器管芯的一或多個存儲單元的所述誤碼率滿足所述閾值標準。

技術領域

本公開的實施例一般涉及存儲器子系統，更具體地涉及用于存儲器子系統的讀取電壓輔助制造測試。

背景技術

存儲器子系統可以包含存儲數據的一或多個存儲器組件。存儲器組件可以是例如非易失性存儲器組件和易失性存儲器組件。通常，主機系統可以利用存儲器子系統在存儲器組件處存儲數據并從存儲器組件檢索數據。

發明內容

在一個方面中，本申請提供了一種系統，其包括：多個存儲器管芯，每個存儲器管芯包括為所述存儲器管芯存儲多個讀取電壓電平的寄存器；以及處理裝置，其耦合到所述多個存儲器管芯，其中為了測試所述多個存儲器管芯中的存儲器管芯，所述處理裝置用于：經由存取存儲在所述存儲器管芯的所述寄存器中的所述多個讀取電壓電平，驗證每個讀取電壓電平是否落入對應的相對電壓范圍內；選擇所述多個讀取電壓電平中的初始讀取電壓電平，以在所述存儲器管芯的第一最短寫入到讀取(W2R)延遲范圍或第二最短寫入到讀取(W2R)延遲范圍中的一個處實現不滿足閾值標準的誤碼率；使用所述初始讀取電壓電平確定所述存儲器管芯的存儲單元的誤碼率，其中每個存儲單元包括一或多個碼字；以及響應于以下各項中的一個，將所述存儲器管芯報告為有缺陷：(i)所述多個讀取電壓電平中的讀取電壓電平未通過驗證；或(ii)所述存儲器管芯的一或多個存儲單元的所述誤碼率滿足所述閾值標準。

在另一個方面中，本申請進一步提供了一種方法，其包括在存儲器子系統的制造期間使用至少一個處理裝置測試所述存儲器子系統的多個存儲器管芯，其中測試所述多個存儲器管芯中的存儲器管芯包括：經由存取存儲在所述存儲器管芯中的讀取電壓電平，驗證每個讀取電壓電平落入對應的相對電壓范圍內；為所述存儲器管芯選擇所述讀取電壓電平中的初始讀取電壓電平，以在第一最短寫入到讀取(W2R)延遲范圍、第二最短寫入到讀取(W2R)延遲范圍或第三最短寫入到讀取(W2R)延遲范圍中的一個處實現不滿足閾值標準的誤碼率；以及執行誤碼率檢查，其包括：將數據寫入所述存儲器管芯的存儲單元；使用所述初始讀取電壓電平從所述存儲器管芯的所述存儲單元讀取所述數據；以及基于所述從所述存儲器管芯的所述存儲單元讀取所述數據來確定誤碼率。

在又一個方面中，本申請進一步提供了一種存儲指令的非暫時性機器可讀存儲介質，所述指令在由處理裝置執行時使得所述處理裝置針對存儲器子系統的多個存儲器管芯中的存儲器管芯以：經由存取存儲在所述存儲器管芯中的讀取電壓電平，驗證每個讀取電壓電平落入對應的相對電壓范圍內；選擇所述讀取電壓電平中的初始讀取電壓電平，以在所述存儲器管芯的第一最短寫入到讀取(W2R)延遲范圍、第二最短寫入到讀取(W2R)延遲范圍或第三最短寫入到讀取(W2R)延遲范圍中的一個處實現不滿足閾值標準的誤碼率；使數據被寫入到所述存儲器管芯的存儲單元；使所述數據使用所述初始讀取電壓電平從所述存儲器管芯的所述存儲單元被讀取；以及基于從所述存儲器管芯的所述存儲單元讀取所述數據來確定誤碼率。

附圖說明

根據以下給出的詳細描述以及本公開的各種實施例的附圖，將更全面地理解本公開。

圖1示出了根據本公開的一些實施例的實例計算環境，其包含存儲器子系統。

圖2是示出根據實施例，在三個讀取電壓電平中的每一個中，誤碼率(BER)如何隨時間變化而隨寫入到讀取(W2R)延遲的而改變的圖。

圖3是根據各種實施例的用于對存儲器子系統執行制造測試的方法的流程圖。