[發明專利]傳送單元和包括該傳送單元的基板處理裝置在審
| 申請號: | 202010860551.0 | 申請日: | 2020-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN112420555A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 裵文炯;樸珉貞 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 張凱 |
| 地址: | 韓國忠清南道天安*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳送 單元 包括 處理 裝置 | ||
本發明涉及傳送單元和包括該傳送單元的基板處理裝置。一種用于處理基板的裝置包括索引模塊和處理基板的處理模塊。索引模塊包括:裝載端口,載體被裝載在所述裝載端口上,所述載體具有接收在其中的多個基板;和傳送框架,其設置在所述處理模塊與所述裝載端口之間,并在裝載在所述裝載端口上的所述載體與所述處理模塊之間傳送所述基板。所述處理模塊包括:一個或多個工藝腔室;和傳送腔室,其將所述基板傳送到所述工藝腔室。所述傳送腔室包括:殼體,其具有傳送空間,在所述傳送空間中傳送所述基板;傳送機械手,其設置在所述殼體中并在所述工藝腔室之間傳送所述基板;和靜電墊,其設置在所述傳送空間中,并靜電地吸引所述殼體中的顆粒。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年8月23日提交韓國知識產權局的、申請號為10-2019-0103639的韓國專利申請的優先權和權益,其全部內容通過引用結合在本申請中。
技術領域
本文描述的本發明構思的實施方式涉及一種傳送單元及包括該傳送單元的基板處理裝置。
背景技術
執行例如光刻、清潔等各種工藝,以制造半導體元件和平板顯示器。在具有獨立空間的腔室中執行工藝,并且基板由傳送機械手根據工藝順序傳送到腔室中。
通常,基板處理工藝需要清潔的狀態,其中去除了諸如灰塵的顆粒。即使在工藝開始之前清潔了腔室的內部,但是由于在傳送基板的情況下產生的顆粒也會導致不良的工藝。顆粒主要在用于傳送基板的裝置中產生。更具體地,大量的顆粒由于將功率傳輸到裝置的驅動構件中的部件之間的摩擦而產生。
可以使用風機過濾器單元去除相對大的顆粒。但是,相對小的顆粒在傳送空間中不能很好地去除。
發明內容
本發明構思的實施方式提供了一種用于最小化由在傳送基板的工藝中產生的顆粒引起的不良工藝的傳送單元,以及包括該傳送單元的基板處理裝置。
另外,本發明構思的實施方式提供了一種用于最小化在傳送單元中產生的顆粒向外部釋放的傳送單元,以及包括該傳送單元的基板處理裝置。
本發明構思要解決的技術問題不限于上述問題,且本發明構思所屬領域的技術人員將從以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技術問題。
根據示例性實施方式,一種用于處理基板的裝置包括:索引模塊;和處理模塊,其處理所述基板。所述索引模塊包括:裝載端口,載體被裝載在所述裝載端口上,所述載體具有接收在其中的多個基板;和傳送框架,其設置在所述處理模塊與所述裝載端口之間,并在裝載在所述裝載端口上的所述載體和所述處理模塊之間傳送所述基板。所述處理模塊包括:一個或多個工藝腔室;和傳送腔室,其將所述基板傳送到所述工藝腔室。所述傳送腔室包括:殼體,其具有傳送空間,在所述傳送空間中傳送所述基板;傳送機械手,其設置在所述殼體中并在所述工藝腔室之間傳送所述基板;和靜電墊,其設置在所述傳送空間中,并靜電地吸引所述殼體中的顆粒。
根據一實施方式,所述傳送腔室還可以包括驅動單元,所述驅動單元移動所述傳送機械手,以及所述靜電墊可設置在所述驅動單元中。
根據一實施方式,所述驅動單元可包括:主體,其具有形成在其中的開口;密封帶,其面向所述開口并密封所述開口,與所述傳送機械手耦合的托架(bracket)耦合至所述密封帶;和致動器,其設置在所述主體中、并移動所述密封帶,以及所述靜電墊可以位于所述主體中,以與所述開口相鄰。
根據一實施方式,所述靜電墊可附接到所述殼體的內壁。
根據一實施方式,所述靜電墊可設置在與所述殼體的側壁之間的所述傳送機械手的移動方向平行的側壁上。
根據一實施方式,所述傳送腔室還可包括在所述殼體中產生豎直氣流的風機過濾器單元。
根據一實施方式,所述靜電墊可包括吸引帶正電荷的顆粒的材料而形成的第一墊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





