[發明專利]微機電式芯片移轉裝置在審
| 申請號: | 202010859993.3 | 申請日: | 2020-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN113921443A | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發明(設計)人: | 廖建碩 | 申請(專利權)人: | 歆熾電氣技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 王紅艷 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微機 芯片 移轉 裝置 | ||
本發明公開一種微機電式芯片移轉裝置,其包括一承載基板、一微控制閥模塊以及一微加熱器模塊。承載基板具有多個第一微通道以及分別對應多個第一微通道的多個第二微通道。微控制閥模塊包括多個微機電開關。微加熱器模塊包括設置在承載基板內或者設置在承載基板上的多個微加熱器,多個微加熱器分別鄰近多個第一微通道。借此,每一微機電開關連接于相對應的第一微通道與相對應的第二微通道之間,以允許或者阻擋相對應的第一微通道與相對應的第二微通道相互氣體連通。
技術領域
本發明涉及一種芯片移轉裝置,特別是涉及一種微機電式芯片移轉裝置。
背景技術
現有技術中,發光二極管芯片可以通過吸嘴的取放動作或是頂針的頂抵動作,以從一承載體移轉到另一承載體上。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于,針對現有技術的不足提供一種微機電式芯片移轉裝置。
為了解決上述的技術問題,本發明所采用的其中一技術方案是提供一種微機電式芯片移轉裝置,其包括:一承載基板、一微控制閥模塊以及一微加熱器模塊。承載基板具有多個第一微通道以及分別對應多個第一微通道的多個第二微通道。微控制閥模塊包括多個微機電開關。微加熱器模塊包括設置在承載基板內或者設置在承載基板上的多個微加熱器,多個微加熱器分別鄰近多個第一微通道。其中,每一微機電開關連接于相對應的第一微通道與相對應的第二微通道之間,以允許或者阻擋相對應的第一微通道與相對應的第二微通道相互氣體連通。
為了解決上述的技術問題,本發明所采用的另外一技術方案是提供一種微機電式芯片移轉裝置,其包括:一承載基板、一微控制閥模塊以及一微加熱器模塊。承載基板具有多個第一微通道、至少一第二微通道以及氣體連通于多個第一微通道的至少一第三微通道。微控制閥模塊包括至少一微機電開關。微加熱器模塊包括設置在承載基板內或者設置在承載基板上的多個微加熱器,多個微加熱器分別鄰近多個第一微通道。其中,至少一微機電開關連接于至少一第二微通道與至少一第三微通道之間,以允許或者阻擋至少一第二微通道與至少一第三微通道相互氣體連通。
為了解決上述的技術問題,本發明所采用的另外再一技術方案是提供一種微機電式芯片移轉裝置,其包括:一承載基板、一微控制閥模塊以及一微加熱器模塊。承載基板具有多個第一微通道、至少一第二微通道以及氣體連通于多個第一微通道的至少一第三微通道。微控制閥模塊包括多個第一微機電開關以及至少一第二微機電開關。微加熱器模塊包括設置在承載基板內或者設置在承載基板上的多個微加熱器,多個微加熱器分別鄰近多個第一微通道。其中,每一第一微機電開關連接于相對應的第一微通道與至少一第三微通道之間,以允許或者阻擋相對應的第一微通道與至少一第三微通道相互氣體連通;其中,至少一第二微機電開關連接于至少一第二微通道與至少一第三微通道之間,以允許或者阻擋至少一第二微通道與至少一第三微通道相互氣體連通。
本發明的其中一有益效果在于,本發明所提供的微機電式芯片移轉裝置,其能通過“承載基板具有多個第一微通道以及分別對應多個第一微通道的多個第二微通道”以及“每一微機電開關連接于相對應的第一微通道與相對應的第二微通道之間”的技術方案,以允許或者阻擋相對應的第一微通道與相對應的第二微通道相互氣體連通。
本發明的另外一有益效果在于,本發明所提供的微機電式芯片移轉裝置,其能通過“承載基板具有多個第一微通道、至少一第二微通道以及氣體連通于多個第一微通道的至少一第三微通道”以及“至少一微機電開關連接于至少一第二微通道與至少一第三微通道之間”的技術方案,以允許或者阻擋至少一第二微通道與至少一第三微通道相互氣體連通。
本發明的另外一有益效果在于,本發明所提供的微機電式芯片移轉裝置,其能通過“承載基板具有多個第一微通道、至少一第二微通道以及氣體連通于多個第一微通道的至少一第三微通道”、“每一第一微機電開關連接于相對應的第一微通道與至少一第三微通道之間”以及“至少一第二微機電開關連接于至少一第二微通道與至少一第三微通道之間”的技術方案,以允許或者阻擋相對應的第一微通道與至少一第三微通道相互氣體連通,并且允許或者阻擋至少一第二微通道與至少一第三微通道相互氣體連通。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





