[發明專利]一種步進式高精度光刻機

有效

• 申請號: 202010858776.2
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN111913369B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 李俊毅;姚恒裕;陳舜欽
• 申請（專利權）人: 福建安芯半導體科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 泉州市興博知識產權代理事務所(普通合伙) 35238
• 代理人: 王成紅

本發明屬于光刻機技術領域，特別涉及一種步進式高精度光刻機，包括有工作臺、激光器、光束矯正器、能量控制器、能量探測器、光束形狀設置等；激光器、光束矯正器、能量控制器、控制臺設于封閉框架外；封閉框架底部設有減振器；能量探測器、遮光器、光束形狀設置、能量控制器、光束矯正器位于同一水平線上，且從左至右依次設置等；本發明通過溫控裝置及時調整物鏡、掩模版、掩模臺之間之間的溫度差；通過調諧器對封閉框架內的信號做出變頻；通過調整器對物鏡下對抱死或者松開，使得物鏡能夠做出調整，以此防止在激光束照射下，物鏡發生膨脹或者收縮的情況，從而使得蝕刻的圖案能夠達到精準，如此，達到種能夠快速變頻、能夠刻蝕精準的效果。

技術領域

本發明屬于光刻機技術領域，特別涉及一種步進式高精度光刻機。

背景技術

光刻技術伴隨集成電路制造工藝的不斷進步，線寬的不斷縮小，半導體器件的面積正變得越來越小，半導體的布局已經從普通的單一功能分離器件，演變成整合高密度多功能的集成電路；由最初的IC(集成電路)隨后到LSI(大規模集成電路)，VLSI(超大規模集成電路)，直至今天的ULSI(特大規模集成電路)，器件的面積進一步縮小，功能更為全面強大。

考慮到工藝研發的復雜性、長期性和高昂的成本等等不利因素的制約，如何在現有技術水平的基礎上進一步提高器件的集成密度，縮小芯片的面積，在同一枚硅片上盡可能多的得到有效的芯片數，從而提高整體利益，將越來越受到芯片設計者，制造商的重視。

現有的光刻機在激光束射線下，容易使得物鏡、掩模版、掩模臺的溫度變化，從而容易使得圖像在刻蝕上容易出現誤差，同時，光刻機各個工作的模塊容易發出變頻信號，從而也使的產品的刻蝕精度容易出現誤差，因此亟需研發一種能夠快速變頻、能夠刻蝕精準的步進式高精度光刻機。

發明內容

（一）要解決的技術問題

現有的光刻機在激光束射線下，容易使得物鏡、掩模版、掩模臺的溫度變化，從而容易使得圖像在刻蝕上容易出現誤差，同時，光刻機各個工作的模塊容易發出變頻信號，從而也使的產品的刻蝕精度容易出現誤差，本發明提供一種能夠快速變頻、能夠刻蝕精準的步進式高精度光刻機。

（二）技術方案

本發明通過如下技術方案實現：本發明提出了一種步進式高精度光刻機，包括有工作臺、激光器、光束矯正器、能量控制器、能量探測器、光束形狀設置、遮光器、掩模版、掩模臺、物鏡、硅片、封閉框架、減振器、溫控裝置、調整器和控制臺；工作臺、光束形狀設置、遮光器、能量探測器、掩模版、掩膜臺、物鏡、硅片、溫控裝置、調整器設于封閉框架內；能量控制器、激光器、光束矯正器、控制臺設于封閉框架外；封閉框架底部設有減振器；能量探測器、遮光器、光束形狀設置、能量控制器、光束矯正器位于同一水平線上，且從左至右依次設置；激光器通過光束矯正器與能量控制器相配合，掩模臺設于能量探測器正下方，掩模版設于掩模臺頂部正中心；

工作臺為磁懸浮工作臺，工作臺設有兩部分，一部分為曝光臺，曝光臺位于物鏡正下方，另一部分為測量臺，工作臺頂部承載有硅片，測量臺正上方設有測量設備；

物鏡設于掩模臺正下方，物鏡、掩模版、掩模臺之間設有溫控裝置；

調整器設于封閉框架內，調整器與物鏡相配合，調整器設有調整氣缸、橡膠圈和弧形塊；橡膠圈包裹著物鏡外表面中部，弧形塊設有兩個，弧形塊端部鉸接于調整器輸出端，弧形塊內側固接于橡膠圈。

進一步的，溫控裝置包括有溫度測定模塊以及溫度調節模塊，溫度測定模塊能夠感應物鏡、掩模版、掩模臺之間的溫度，在溫度差大于或小于預定值，溫度調節模塊能夠調節溫度，使得物鏡、掩模版、掩模臺之間的溫度趨于穩定。

進一步的，所述光束矯正器設有三個，光束矯正器能夠將激光器水平射出的激光束調整為入射方向平行。

進一步的，所述封閉框架內表面為吸音材質。