[發明專利]形成封裝結構的方法

在審

• 申請號: 202010856662.4
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN112509934A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 黃冠育;黃松輝;侯上勇
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

提供一種形成封裝結構的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒結構，以及在第一基板的第二表面下方形成多個電連接器。方法也包括在第一基板的第二表面下方形成第一突出結構，并且電連接器被第一突出結構圍繞。方法還包括在第二基板上方形成第二突出結構，以及將第一基板接合至第二基板。電連接器被第二突出結構圍繞，并且第一突出結構不與第二突出結構重疊。

技術領域

本公開實施例涉及一種封裝結構，特別涉及一種形成封裝結構的方法。

背景技術

半導體裝置被使用于各種電子應用中，像是個人電腦、移動電話、數碼相機以及其他電子設備。通常通過在半導體基板上方依序地沉積材料的絕緣或介電層、導電層、以及半導電層，并且使用微影圖案化各種材料層以在其上形成電路構件以及元件來制造半導體裝置。通常在單個半導體晶圓上制造許多集成電路，并且通過沿著切割道(scribe line)在集成電路之間進行切割來單粒化(singulate)晶圓上的各個晶粒。通常將各個晶粒分別封裝在例如多芯片模塊中或其他類型的封裝中。

已經開始開發像是封裝上封裝(package on package,PoP)的新封裝技術，其中具有裝置晶粒的頂部封裝與另一裝置晶粒接合至底部封裝。通過采用新的封裝技術，具有不同或相似功能的各種封裝被整合在一起。

盡管現有的封裝結構以及制造封裝結構的方法通常已經足以滿足其預期目的，但是它們并非在所有方面都是完全令人滿意的。

發明內容

根據本公開的一些實施例，提供一種形成封裝結構的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒結構，在第一基板的第二表面下方形成多個電連接器。方法也包括在第一基板的第二表面下方形成第一突出結構，并且電連接器被第一突出結構圍繞。此方法還包括在第二基板上方形成第二突出結構，以及將第一基板接合至第二基板。電連接器被第二突出結構圍繞，并且第一突出結構不與第二突出結構重疊。

根據本公開的一些實施例，提供一種形成封裝結構的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒結構，在第一基板的第二表面下方形成多個電連接器。方法也包括在電連接器旁邊形成第一突出結構，從第一基板的第二表面加壓第一區域中的多個電連接器的一部分，使得第一區域中的電連接器的每一個具有實質底部平坦的表面。方法還包括在第二基板上方形成第二突出結構以及第三突出結構，并且第二突出結構以及第三突出結構為不同的高度。方法包括將第一基板接合至第二基板，并且第一突出結構位于第二突出結構以及該第三突出結構之間。

根據本公開的一些實施例，提供一種形成封裝結構的方法。方法包括在第一基板上方形成晶粒結構，并且在第一基板下方形成多個電連接器。方法也包括在第一基板下方形成第一支撐結構，并且第一支撐結構具有第一高度，方法還包括對電連接器執行加壓工藝，使得電連接器包括第一組被加壓電連接器以及第二組未被加壓電連接器。方法還包括使用電連接器將第一基板接合到第二基板，并且第一組被加壓電連接器中的一個具有第二高度。第二組未被加壓電連接器中的一個具有第三高度。第一高度小于第二高度，并且第二高度小于第三高度。

附圖說明

以下將配合說明書附圖詳述本公開的實施例。應注意的是，依據在業界的標準做法，多種特征并未按照比例示出且僅用以說明例示。事實上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現出本公開的特征。

圖1A至圖1M示出了根據本公開的一些實施例的形成封裝結構的各個階段的剖面圖。

圖1M’示出了根據本公開的一些實施例的封裝結構的剖面圖。

圖2A示出了根據本公開的一些實施例的環形結構的俯視圖。

圖2B示出了根據本公開的一些實施例的圖1K中的第一突出結構的俯視圖。

圖2C示出了根據本公開的一些實施例的圖1L中的第二突出結構的俯視圖。