[發明專利]形成封裝結構的方法

在審

• 申請號: 202010856662.4
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN112509934A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 黃冠育;黃松輝;侯上勇
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種形成封裝結構的方法，包括：

在一第一基板的一第一表面上方形成一晶粒結構；

在該第一基板的一第二表面下方形成多個電連接器；

在該第一基板的該第二表面下方形成一第一突出結構，其中所述多個電連接器被該第一突出結構圍繞；

在一第二基板上方形成一第二突出結構；以及

將該第一基板接合至該第二基板，其中所述多個電連接器被該第二突出結構圍繞，并且該第一突出結構不與該第二突出結構重疊。

2.如權利要求1所述的形成封裝結構的方法，還包括：

在將該第一基板接合到該第二基板之前，從該第一基板的該第二表面加壓多個電連接器的一部分，使得所述多個電連接器的該部分具有一實質底部平坦的表面。

3.如權利要求1所述的形成封裝結構的方法，還包括：

在該第一基板的該第一表面上方形成一環形結構或一罩蓋結構，其中該晶粒結構被該環形結構或該罩蓋結構圍繞。

4.如權利要求1所述的形成封裝結構的方法，其中當從俯視觀察時，該第一突出結構具有L形。

5.如權利要求1所述的形成封裝結構的方法，其中當從俯視觀察時，該第一突出結構具有四個子部分，并且所述多個子部分的每一個位于該第一基板的角落。

6.一種形成封裝結構的方法，包括：

在一第一基板的一第一表面上方形成一晶粒結構；

在該第一基板的一第二表面下方形成多個電連接器；

在所述多個電連接器旁邊形成一第一突出結構；

從該第一基板的該第二表面加壓一第一區域中的多個電連接器的一部分，使得該第一區域中的所述多個電連接器的每一個具有一實質底部平坦的表面；

在一第二基板上方形成一第二突出結構以及一第三突出結構，其中該第二突出結構以及該第三突出結構為不同的高度；以及

將該第一基板接合至該第二基板，其中該第一突出結構位于該第二突出結構以及該第三突出結構之間。

7.如權利要求6所述的形成封裝結構的方法，其中該晶粒結構包括：

多個硅通孔，在一第三基板中形成；

一內連線結構，在所述多個硅通孔上方形成；以及

一晶粒，在該內連線結構上方形成。

8.一種形成封裝結構的方法，包括：

在一第一基板上方形成一晶粒結構；

在該第一基板下方形成多個電連接器；

在該第一基板下方形成一第一支撐結構，其中該第一支撐結構具有一第一高度；

對所述多個電連接器執行一加壓工藝，使得該電連接器包括一第一組被加壓電連接器以及一第二組未被加壓電連接器；以及

使用所述多個電連接器將該第一基板接合到一第二基板，其中該第一組被加壓電連接器中的一個具有一第二高度，該第二組未被加壓電連接器中的一個具有一第三高度，該第一高度小于該第二高度，并且該第二高度小于該第三高度。

9.如權利要求8所述的形成封裝結構的方法，還包括：

在將該第一基板接合到該第二基板之前，在該第二基板上方形成一第二突出結構，其中在將該第一基板接合到該第二基板之后，該第二突出結構在該第一基板以及該第二基板之間。

10.如權利要求9所述的形成封裝結構的方法，還包括：

在將該第一基板接合到該第二基板之前，在該第二基板上方形成一第三突出結構，其中該第二突出結構在該第一突出結構以及該第三突出結構之間。