[發(fā)明專利]半導體元件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010856583.3
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN112563275A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 莊達人;謝品秀;孫志忠
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種半導體元件，包括：

一半導體基板，包括一存儲器區(qū)和一邏輯區(qū)，該邏輯區(qū)與該存儲器區(qū)分離；

一存儲胞，設(shè)置在該存儲器區(qū)；

一第一邏輯晶體管，設(shè)置在該存儲器區(qū)中并且設(shè)置鄰近該存儲胞；以及

一第二邏輯晶體管，設(shè)置在該邏輯區(qū)中，

其中該第一邏輯晶體管經(jīng)配置以響應于該第二邏輯晶體管提供的一存儲器控制信號控制該存儲胞的操作。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該存儲器控制信號包括一命令信號。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中一控制單元和一算術(shù)邏輯單元界定出一處理單元，該第二邏輯晶體管做為該處理單元的元件。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該存儲胞包括一存儲器晶體管，經(jīng)配置以經(jīng)由該第一邏輯晶體管與該第二邏輯晶體管通信。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，還包括：一第一半導體存儲器，包括該存儲胞和該第一邏輯晶體管，以及一第二半導體存儲器，其中該第一半導體存儲器和該第二半導體存儲器是動態(tài)隨機存取存儲器，其中該半導體元件還包括：一處理單元及一靜態(tài)隨機存取存儲器，該處理單元包括該第二邏輯晶體管，

其中該第一半導體存儲器的數(shù)據(jù)延遲小于或等于該第二半導體存儲器的數(shù)據(jù)延遲，以及該靜態(tài)隨機存取存儲器的數(shù)據(jù)延遲小于或等于該第一半導體存儲器的數(shù)據(jù)延遲。

6.如權(quán)利要求5所述的半導體元件，其中該第一半導體存儲器的數(shù)據(jù)密度小于或等于該第二半導體存儲器的數(shù)據(jù)密度，并且該靜態(tài)隨機存取存儲器的數(shù)據(jù)密度小于或等于該第一半導體存儲器的數(shù)據(jù)密度。

7.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該第一邏輯晶體管與該第二邏輯晶體管位于同一水平面上。

8.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，還包括：

一介電層，設(shè)置在該半導體基板上，其中該存儲胞包括一埋入柵極，設(shè)置在該介電層下，其中該第一邏輯晶體管包括：一第一邏輯柵極，設(shè)置在該介電層中，以及其中該第二邏輯晶體管包括一第二邏輯柵極，設(shè)置在該介電層中。

9.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，還包括：

一保護環(huán)，設(shè)置在該半導體基板上并圍繞該存儲胞、該第一邏輯晶體管和該第二邏輯晶體管。

10.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，還包括：

一圖案化導電層，在該半導體基板上方延伸，其中該存儲器控制信號在該圖案化導電層上傳輸。

11.如權(quán)利要求10所述的半導體元件，其中該第一邏輯晶體管經(jīng)配置以將該存儲器控制信號轉(zhuǎn)換成一字元線選擇信號和一位元線選擇信號，該字元線選擇信號和該位元線選擇信號在該圖案化導電層上傳輸。

12.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該第一邏輯晶體管和該第二邏輯晶體管具有相同的半導體結(jié)構(gòu)輪廓。

13.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該第一邏輯晶體管和該第二邏輯晶體管具有相同的元件。

14.如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該第一邏輯晶體管的元件和該第二邏輯晶體管的元件包括相同的半導體材料。

15.一種半導體元件，包括：

一半導體基板，包括一存儲器區(qū)和一邏輯區(qū)；

一存儲胞，設(shè)置在該存儲器區(qū)中；

多個第一邏輯晶體管，設(shè)置在該存儲器區(qū)中并且圍繞該存儲胞；

多個第二邏輯晶體管，設(shè)置在該邏輯區(qū)中；以及

多個第三邏輯晶體管，設(shè)置在該邏輯區(qū)中并且圍繞所述多個第二邏輯晶體管。