[發明專利]一種半導體器件封裝結構及半導體器件封裝方法

在審

• 申請號: 202010856404.6
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN112201632A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 王琇如;唐和明
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/06;H01L21/52
• 代理公司: 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884
• 代理人: 唐明磊

1.一種半導體器件封裝結構，其特征在于，包括：

半導體管芯(10)，在其第一端(11)上設有正面電極，在其第二端上設有背面電極，所述第一端(11)與所述第二端相對；

石墨烯結合膜(20)；

封裝容器(30)，其包括連接板(31)和側壁板(32)；所述側壁板(32)由所述連接板(31)延伸并彎折，以與所述連接板(31)圍成封裝空間；所述半導體管芯(10)設于所述封裝空間內，所述半導體管芯(10)的第二端、所述石墨烯結合膜(20)和所述連接板(31)依次結合；所述側壁板(32)包括外引端(321)，所述背面電極通過所述石墨烯結合膜(20)、所述連接板(31)與外引端(321)電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體器件封裝結構，其特征在于，所述封裝容器(30)為金屬容器。

3.根據權利要求1所述的半導體器件封裝結構，其特征在于，所述石墨烯結合膜(20)的一端與所述半導體管芯(10)的第二端鍵合或粘合，所述石墨烯結合膜(20)的另一端與所述連接板(31)鍵合或粘合。

4.根據權利要求1所述的半導體器件封裝結構，其特征在于，所述石墨烯結合膜(20)包括膜本體(21)，還包括離散地分布于所述膜本體(21)內部的銀顆粒(22)。

5.根據權利要求1所述的半導體器件封裝結構，其特征在于，所述石墨烯結合膜(20)的厚度與所述半導體管芯(10)的厚度的比例為0.1至0.4。

6.根據權利要求1-5任一項所述的半導體器件封裝結構，其特征在于，所述正面電極包括源極(141)和柵極(142)，所述背面電極包括漏極(15)。

7.根據權利要求1-5任一項所述的半導體器件封裝結構，其特征在于：還包括基板(60)；所述外引端(321)、所述正面電極分別通過導電焊材層(70)焊接于所述基板(60)。

8.一種半導體器件封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

S10：提供半導體管芯(10)，半導體管芯(10)的第一端(11)上設有正面電極，半導體管芯(10)的第二端上設有背面電極，所述第一端(11)與所述第二端相對；

S20：在半導體管芯(10)的第二端上附著石墨烯結合膜(20)，以使所述半導體管芯(10)的第二端與所述石墨烯結合膜(20)結合，以使所述背面電極與所述石墨烯結合膜(20)電連接，從而形成第一結合結構；

S30：提供封裝容器(30)，所述封裝容器(30)包括連接板(31)和側壁板(32)；所述側壁板(32)由所述連接板(31)延伸并彎折，以與所述連接板(31)圍成封裝空間；所述側壁板(32)包括外引端(321)；

S40：將所述第一結合結構放置于所述封裝容器(30)的封裝空間內，將所述第一結合結構的石墨烯結合膜(20)附著于所述連接板(31)，以使所述石墨烯結合膜(20)遠離所述半導體管芯(10)的一端與所述連接板(31)結合，以形成封裝本體。

9.根據權利要求8所述的半導體器件封裝方法，其特征在于，在所述S10步驟中，提供晶圓，所述晶圓上包括若干所述半導體管芯(10)；若干所述半導體管芯(10)的第二端共面，均位于所述晶圓的背面；

在所述S20步驟中，包括：

S21：通過貼裝或鍵合的方式，將石墨烯結合膜(20)附著于所述晶圓的背面；

S22：切割晶圓，以獲得若干所述第一結合結構。

10.根據權利要求8所述的半導體器件封裝方法，其特征在于，所述封裝方法還包括S50步驟和S60步驟；

S50：對所述封裝本體進行烘烤固化，以使所述石墨烯結合膜(20)分別與所述半導體管芯(10)、所述封裝容器(30)可靠結合；

S60：提供基板(60)，將所述封裝本體的外引端(321)、所述正面電極分別焊接于所述基板(60)，以使所述正面電極與所述基板(60)電連接，所述背面電極與所述基板(60)電連接。