[發明專利]一種半導體器件封裝結構及半導體器件封裝方法

在審

• 申請號: 202010856404.6
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN112201632A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 王琇如;唐和明
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/06;H01L21/52
• 代理公司: 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884
• 代理人: 唐明磊

本發明公開一種半導體器件封裝結構及半導體器件封裝方法；該封裝結構包括：半導體管芯，在其第一端上設有正面電極，在其第二端上設有背面電極，第一端與第二端相對；石墨烯結合膜；封裝容器，其包括連接板和側壁板；側壁板由連接板延伸并彎折，以與連接板圍成封裝空間；側壁板包括外引端；半導體管芯設于封裝空間內，半導體管芯的第二端、石墨烯結合膜和連接板依次結合；背面電極依次通過石墨烯結合膜、連接板與外引端電連接；該封裝方法中，通過石墨烯結合膜將半導體管芯與封裝容器連接。本發明能夠更加精準地控制石墨烯結合膜的厚度，且可克服焊角過高導致的問題，封裝結構的可靠性高，封裝效率高。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種半導體器件封裝結構及半 導體器件封裝方法。

背景技術

目前，為了能夠提高半導體器件的散熱性能，采用杯形的封裝容器對半導 體管芯進行封裝以形成封裝結構，半導體管芯的背面通過導電結合材料(如導 電銀膠)與封裝容器進行電連接，半導體管芯背面的背面電極通過封裝容器外 引，此種封裝結構的散熱性能良好；此種封裝結構在封裝制程中，需要將形成 于半導體管芯與封裝容器之間的導電結合層的厚度控制在合適的范圍內，以保 證電性連接的可靠性。

但是，在現有的封裝制程中，導電結合材料的用量不好控制，導電結合層 的厚度不容易控制，并且容易在半導體管芯的管芯側壁上形成焊角(由導電結 合材料固化形成)；現有的封裝結構中，位于管芯側壁上的焊角的高度常常過 大，影響封裝結構的可靠性。

發明內容

本發明實施例的一個目的在于：提供一種半導體器件封裝結構，其能夠更 加精準地控制石墨烯結合膜的厚度，且可克服焊角過高導致的問題，封裝結構 的可靠性高。

本發明實施例的另一個目的在于：提供一種半導體器件封裝方法，其能夠 更加精準地控制石墨烯結合膜的厚度，且可克服焊角過高導致的問題，封裝效 率高，封裝結構的可靠性高。

為達上述目的，本發明采用以下技術方案：

一種半導體器件封裝結構，包括：

半導體管芯，在其第一端上設有正面電極，在其第二端上設有背面電極， 所述第一端與所述第二端相對；

石墨烯結合膜；

封裝容器，其包括連接板和側壁板；所述側壁板由所述連接板延伸并彎折， 以與所述連接板圍成封裝空間；所述半導體管芯設于所述封裝空間內，所述半 導體管芯的第二端、所述石墨烯結合膜和所述連接板依次結合；所述側壁板包 括外引端，所述背面電極通過所述石墨烯結合膜、所述連接板與外引端電連接。

作為優選，所述封裝容器為金屬容器。

作為優選，所述石墨烯結合膜的一端與所述半導體管芯的第二端鍵合或粘 合，所述石墨烯結合膜的另一端與所述連接板鍵合或粘合。

作為優選，所述石墨烯結合膜包括膜本體，還包括離散地分布于所述膜本 體內部的銀顆粒。

作為優選，所述石墨烯結合膜的厚度與所述半導體管芯的厚度的比例為0.1 至0.4。

作為優選，所述正面電極包括源極和柵極，所述背面電極包括漏極。

作為優選，還包括基板；所述外引端、所述正面電極分別通過導電焊材層 焊接于所述基板。

一種半導體器件封裝方法，包括如下步驟：

S10：提供半導體管芯，半導體管芯的第一端上設有正面電極，半導體管芯 的第二端上設有背面電極，所述第一端與所述第二端相對；

S20：在半導體管芯的第二端上附著石墨烯結合膜，以使所述半導體管芯的 第二端與所述石墨烯結合膜結合，以使所述背面電極與所述石墨烯結合膜電連 接，從而形成第一結合結構；