[發(fā)明專利]一種分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010855962.0 | 申請日： | 2020-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN112038304B | 公開（公告）日： | 2022-05-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邊仿 | 申請（專利權(quán)）人： | 頭領(lǐng)科技（昆山）有限公司;邊仿;宋緋飛 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L25/065;H04R1/10 |
| 代理公司： | 北京卓嵐智財(cái)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 田野 |
| 地址： | 215316 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 分層 封裝 tws 耳機(jī) 芯片 | ||
1.一種分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，包括藍(lán)牙通信子封裝、DAC子封裝、功率放大子封裝、樹脂基板和外封裝，其特征在于：
所述藍(lán)牙通信子封裝、DAC子封裝和功率放大子封裝設(shè)置在所述樹脂基板上并由所述外封裝和所述樹脂基板包裹以與外界隔離；
所述藍(lán)牙通信子封裝、DAC子封裝和功率放大子封裝依次堆疊設(shè)置，所述功率放大子封裝異于所述DAC子封裝的一側(cè)鍵合在樹脂基板上；
所述藍(lán)牙通信子封裝、DAC子封裝和功率放大子封裝的I/O接口依次連接；所述藍(lán)牙通信子封裝用于執(zhí)行藍(lán)牙協(xié)議棧，從音源設(shè)備通過藍(lán)牙無線通信手段獲取音頻數(shù)字信號和交互信號，并將所述音頻數(shù)字信號輸出至所述DAC子封裝；所述DAC子封裝用于將從所述藍(lán)牙通信子封裝獲取的所述音頻數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為音頻模擬信號，并將所述音頻模擬信號輸出至所述功率放大子封裝；所述功率放大子封裝用于將從所述DAC子封裝獲取的所述音頻模擬信號調(diào)制為用于驅(qū)動換能器的電信號，并將所述電信號輸出至所述換能器；
所述藍(lán)牙通信子封裝包括第一晶圓、第一子封裝、第一基板和第一引腳，所述第一晶圓設(shè)置在所述第一子封裝和所述第一基板所包圍的空間內(nèi)；
所述DAC子封裝包括第二晶圓、第二子封裝、第二基板和第二引腳，所述第二晶圓設(shè)置在所述第二子封裝和所述第二基板所包圍的空間內(nèi)；
所述功率放大子封裝包括第三晶圓、第三子封裝和第三引腳，所述第三晶圓設(shè)置在所述第三子封裝和所述樹脂基板所包圍的空間內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述藍(lán)牙通信子封裝、DAC子封裝、功率放大子封裝均為DIP封裝。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述藍(lán)牙通信子封裝的輸出接口與所述DAC子封裝的輸入接口，所述DAC子封裝的輸出接口與所述功率放大子封裝的輸入接口通過金線熱壓鍵合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述第二子封裝與所述第一基板固定連接，所述第三子封裝與所述第二基板固定連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述第二子封裝與所述第一基板可拆卸連接，所述第三子封裝與所述第二基板可拆卸連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述藍(lán)牙通信子封裝為BGA封裝，所述功率放大子封裝為DIP封裝，所述DAC子封裝為混合子封裝。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述DAC子封裝的輸入接口為觸點(diǎn)式BGA封裝，輸出接口和電源接口為DIP封裝。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述第一引腳為第一球針引腳；所述第二引腳包括第二直列引腳和第二球針引腳；所述第一球針引腳與所述第二球針引腳能夠互相嵌合并數(shù)據(jù)通信；所述DAC子封裝的輸出接口與所述功率放大子封裝的輸入接口通過金線熱壓鍵合。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述第二子封裝與所述第三子封裝固定連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述第一基板采用電磁吸收材料；或者，所述第一基板雙側(cè)涂覆有電磁吸收材料涂層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述電磁吸收材料為石墨烯。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述第二晶圓為雙極型DAC。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層封裝的TWS耳機(jī)用芯片，其特征在于，所述第二晶圓為CMOS型DAC。
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