[發明專利]晶圓級貼片互聯方式

在審

• 申請號: 202010855828.0
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN111952245A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 馮光建;馬飛;郭西;高群;顧毛毛
• 申請（專利權）人: 浙江集邁科微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;夏蘇娟

本發明屬于半導體技術領域，具體涉及一種晶圓級貼片互聯方式，包括以下步驟：把芯片貼在基板上，在基板和芯片表面沉積下層種子層，電鍍制作RDL；去除步驟A中制作RDL的光刻膠和RDL外的下層種子層，繼續沉積上層種子層，涂布光刻膠曝光定義出凸點位置，電鍍形成金屬凸點；去除步驟B中涂布的光刻膠和金屬凸點外的上層種子層，形成具有垂直互聯結構的貼片結構。本發明用晶圓級貼片方式把芯片貼在晶圓表面，然后通過深孔電鍍的方式，在晶圓邊緣制作互聯金屬柱，使金屬柱上端連接芯片PAD，下端連接基板PAD，形成芯片和基板的導通，占用面積小，產能高，可靠性好。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，具體涉及一種晶圓級貼片互聯方式。

背景技術

毫米波射頻技術在半導體行業發展迅速，其在高速數據通信、汽車雷達、機載導彈跟蹤系統以及空間光譜檢測和成像等領域都得到廣泛應用。新的應用對產品的電氣性能、緊湊結構和系統可靠性提出了新的要求，對于無線發射和接收系統，目前還不能集成到同一顆芯片上（SOC），因此需要把不同的芯片包括射頻單元、濾波器、功率放大器等集成到一個獨立的系統中實現發射和接收信號的功能。

傳統封裝工藝把各種功能芯片和無源器件安裝在基板上，因為芯片有一定高度，因此必須用打線的工藝把芯片PAD和基板進行互聯，占用面積大，產能低，可靠性差，不能滿足封裝系統越來越小型化的趨勢。

發明內容

本發明旨在解決上述問題，提供了一種晶圓級貼片互聯方式，占用面積小，產能高，可靠性好。

按照本發明的技術方案，所述晶圓級貼片互聯方式，包括以下步驟，

A、把芯片貼在基板上，在基板和芯片表面沉積下層種子層，電鍍制作RDL；

B、去除步驟A中制作RDL的光刻膠和RDL外的下層種子層，繼續沉積上層種子層，涂布光刻膠曝光定義出凸點位置，電鍍形成金屬凸點；

C、去除步驟B中涂布的光刻膠和金屬凸點外的上層種子層，形成具有垂直互聯結構的貼片結構。

進一步的，所述步驟A的具體步驟如下：通過粘貼、硅直接鍵合或者靜電吸附鍵合的方式把芯片貼在基板上；通過物理濺射，磁控濺射或者蒸鍍工藝在絕緣層上方制作下層種子層；在基板上涂光刻膠，然后曝光顯影露出RDL區域，在RDL區域電鍍金屬。

進一步的，所述下層種子層和上層種子層均為一層或多層，材質為鈦、銅、鋁、銀、鈀、金、鉈、錫、鎳中的至少一種。

本發明的有益效果在于：用晶圓級貼片方式把芯片貼在晶圓表面，然后通過深孔電鍍的方式，在晶圓邊緣制作互聯金屬柱，使金屬柱上端連接芯片PAD，下端連接基板PAD，形成芯片和基板的導通，占用面積小，產能高，可靠性好。

附圖說明

圖1a為本發明芯片貼在基板上的示意圖。

圖1b是在圖1a的基礎上沉積下層種子層的示意圖。

圖1c是在圖1b的基礎上涂布光刻膠的示意圖。

圖1d是在圖1c的基礎上電鍍金屬的示意圖。

圖1e是在圖1d的基礎上去除光刻膠和下層種子層的示意圖。

圖1f是在圖1e的基礎上沉積上次種子層并涂布光刻膠曝光定義出凸點位置的示意圖。

圖1g是在圖1f的基礎上電鍍形成金屬凸點的示意圖。

圖1h是在圖1g 的基礎上去除光刻膠和下層種子層的示意圖。

附圖標記說明：101-基板、102-芯片、103-下層種子層、104-光刻膠、105-金屬、106-上層種子層、107-金屬凸點。

具體實施方式