[發明專利]晶圓級貼片互聯方式

在審

• 申請號: 202010855828.0
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN111952245A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 馮光建;馬飛;郭西;高群;顧毛毛
• 申請（專利權）人: 浙江集邁科微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;夏蘇娟

1.一種晶圓級貼片互聯方式，其特征在于，包括以下步驟，

A、把芯片（102）貼在基板（101）上，在基板（101）和芯片（102）表面沉積下層種子層（103），電鍍制作RDL；

B、去除步驟A中制作RDL的光刻膠和RDL外的下層種子層（103），繼續沉積上層種子層（106），涂布光刻膠曝光定義出凸點位置，電鍍形成金屬凸點（107）；

C、去除步驟B中涂布的光刻膠和金屬凸點（107）外的上層種子層（106），形成具有垂直互聯結構的貼片結構。

2.如權利要求1所述的晶圓級貼片互聯方式，其特征在于，所述步驟A的具體步驟如下：通過粘貼、硅直接鍵合或者靜電吸附鍵合的方式把芯片（102）貼在基板（101）上；通過物理濺射，磁控濺射或者蒸鍍工藝在絕緣層上方制作下層種子層（103）；在基板上涂光刻膠（104），然后曝光顯影露出RDL區域，在RDL區域電鍍金屬（105）。

3.如權利要求1所述的晶圓級貼片互聯方式，其特征在于，所述下層種子層（103）和上層種子層（106）均為一層或多層，材質為鈦、銅、鋁、銀、鈀、金、鉈、錫、鎳中的至少一種。