[發明專利]半導體存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010855473.5
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN113206100A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 金在澤;鄭蕙英
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

半導體存儲器裝置及其制造方法。一種半導體存儲器裝置和該半導體存儲器裝置的制造方法。該半導體存儲器裝置包括：外圍晶體管、覆蓋外圍晶體管的第一絕緣層、位于第一絕緣層上的源極層以及位于源極層上的層疊結構。該半導體存儲器裝置還包括穿透層疊結構和源極層的外圍接觸結構，該外圍接觸結構電連接到外圍晶體管。層疊結構包括階梯結構，該階梯結構包括階梯側表面和階梯頂表面。外圍接觸結構與階梯側表面接觸。

技術領域

本公開總體上涉及一種半導體存儲器裝置及其制造方法，更具體地，涉及一種三維半導體存儲器裝置及其制造方法。

背景技術

半導體存儲器裝置包括能夠存儲數據的存儲器單元。

根據存儲數據的方法和保留數據的方法，可以將半導體存儲器裝置分類為易失性半導體存儲器裝置或非易失性半導體存儲器裝置。易失性半導體存儲器裝置是其中存儲的數據在電源中斷時丟失的存儲器裝置，而非易失性半導體存儲器裝置是其中存儲的數據即使在電源中斷時也被保留的存儲器裝置。

近來，隨著便攜式電子裝置的使用越來越多，非易失性半導體存儲器裝置的使用也越來越多，并且為了實現便攜性和大容量，需要高集成度和大容量的半導體存儲器裝置。為了實現便攜性和大容量，已經提出了三維半導體存儲器裝置。

發明內容

根據本公開的一個方面，一種半導體存儲器裝置包括：外圍晶體管；覆蓋外圍晶體管的第一絕緣層；位于第一絕緣層上的源極層；位于源極層上的層疊結構；以及穿透層疊結構和源極層的外圍接觸結構，該外圍接觸結構電連接到外圍晶體管。層疊結構包括階梯結構，該階梯結構包括階梯側表面和階梯頂表面。外圍接觸結構與階梯側表面接觸。

根據本公開的另一方面，一種半導體存儲器裝置包括：外圍晶體管；覆蓋外圍晶體管的第一絕緣層；位于第一絕緣層上的源極層；位于源極層上的層疊結構；以及穿透層疊結構和源極層的外圍接觸結構，該外圍接觸結構電連接到外圍晶體管。層疊結構包括交替層疊的絕緣圖案和導電圖案。外圍接觸結構與導電圖案接觸，并且外圍接觸結構的最上部的水平高于導電圖案當中的最上面的導電圖案的水平。

根據本公開的又一方面，一種制造半導體存儲器裝置的方法包括：在基板上形成外圍晶體管；在外圍晶體管上方形成源極層；在源極層上方形成層疊結構；形成穿透層疊結構和源極層的外圍接觸結構，該外圍接觸結構電連接到外圍晶體管；以及在層疊結構中形成導電圖案。

附圖說明

現在將參照附圖在下文中更全面地描述示例性實施方式。然而，這些實施方式可以以不同的形式實施，并且不應被解釋為限于本文闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式是為了使本領域技術人員能夠實現本公開。

在附圖中，為了圖示清楚，可能放大了尺寸。應當理解，當一個元件被稱為在兩個元件“之間”時，它可以是兩個元件之間的唯一元件，或者也可以存在一個或更多個中間元件。相同的附圖標記始終表示相同的元件。

圖1A是根據本公開的一個實施方式的半導體存儲器裝置的平面圖。

圖1B是沿著圖1A所示的線A-A’截取的截面圖。

圖1C是沿著圖1A所示的線B-B’截取的截面圖。

圖2A、圖3A和圖4A是示出根據本公開的一個實施方式的半導體存儲器裝置的制造方法的平面圖。

圖2B、圖3B和圖4B分別是沿著圖2A、圖3A和圖4A所示的線A-A’截取的截面圖。

圖3C和圖4C分別是沿著圖3A和圖4A所示的線B-B’截取的截面圖。

圖5是示出根據本公開的一個實施方式的存儲器系統的配置的框圖。

圖6是示出根據本公開的一個實施方式的計算系統的配置的框圖。

具體實施方式