[發明專利]半導體存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010855473.5
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN113206100A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 金在澤;鄭蕙英
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：

外圍晶體管；

覆蓋所述外圍晶體管的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的源極層；

位于所述源極層上的層疊結構；以及

穿透所述層疊結構和所述源極層的外圍接觸結構，該外圍接觸結構電連接到所述外圍晶體管，

其中，所述層疊結構包括階梯結構，該階梯結構包括階梯側表面和階梯頂表面，并且

其中，所述外圍接觸結構與所述階梯側表面接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述外圍接觸結構包括：

電連接到所述外圍晶體管的外圍接觸件；以及

圍繞所述外圍接觸件的外圍絕緣層。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括與所述階梯頂表面接觸的字線接觸件。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括電連接所述字線接觸件和所述外圍接觸結構的外圍線路。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲器裝置，其中，所述外圍線路包括沿第一方向延伸的第一部分和沿與所述第一方向相交的第二方向延伸的第二部分。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括穿透所述層疊結構和所述源極層的虛設接觸結構。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲器裝置，其中，所述虛設接觸結構包括：

穿過所述層疊結構和所述源極層的虛設接觸件；以及

圍繞所述虛設接觸件的虛設絕緣層。

8.根據權利要求6所述的半導體存儲器裝置，其中，所述虛設接觸結構與所述階梯側表面接觸。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述階梯頂表面包括通過所述階梯側表面彼此連接的兩個階梯頂表面，

其中，所述外圍接觸結構穿透所述兩個階梯頂表面。

10.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：

外圍晶體管；

覆蓋所述外圍晶體管的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的源極層；

位于所述源極層上的層疊結構；以及

穿透所述層疊結構和所述源極層的外圍接觸結構，該外圍接觸結構電連接到所述外圍晶體管，

其中，所述層疊結構包括交替層疊的絕緣圖案和導電圖案，

其中，所述外圍接觸結構與所述導電圖案接觸，并且

其中，所述外圍接觸結構的最上部的水平高于所述導電圖案當中的最上面的導電圖案的水平。

11.根據權利要求10所述的半導體存儲器裝置，其中，所述外圍接觸結構穿透所述導電圖案中的一個的側端部。

12.根據權利要求10所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括穿透所述層疊結構和所述源極層的虛設接觸結構。

13.根據權利要求12所述的半導體存儲器裝置，其中，所述外圍接觸結構被設置在所述虛設接觸結構之間。

14.根據權利要求12所述的半導體存儲器裝置，其中，所述虛設接觸結構包括穿透所述導電圖案的側端部的第一虛設接觸結構。

15.根據權利要求12所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括連接到所述源極層的源極接觸件以及設置在所述源極接觸件和所述層疊結構之間的源極絕緣層，

其中，所述虛設接觸結構中的一些與所述源極絕緣層接觸。

16.根據權利要求12所述的半導體存儲器裝置，其中，所述虛設接觸結構被電浮置。