[發(fā)明專利]發(fā)光顯示設(shè)備和制造發(fā)光顯示設(shè)備的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010855287.1 | 申請日: | 2015-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN111952344A | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金槿卓 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 嚴(yán)芬;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 顯示 設(shè)備 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光顯示設(shè)備,包括:
基板;
在所述基板上的第一電極;
在所述基板上的像素限定層,所述像素限定層具有開口以暴露所述第一電極;
表面處理層,包括在所述第一電極上的第一部分和在所述像素限定層上的第二部分,所述表面處理層包括多個槽,所述多個槽在所述表面處理層的所述第二部分中并且不與所述像素限定層的所述開口重疊;
在所述表面處理層上的電荷傳輸層;
在所述電荷傳輸層上的發(fā)光層;以及
在所述發(fā)光層上的第二電極,
其中所述電荷傳輸層的一部分被限制在所述槽中,
其中釘扎點被限定在所述電荷傳輸層和所述表面處理層之間,并且
其中所述電荷傳輸層的邊緣和所述發(fā)光層的邊緣與所述釘扎點對齊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述表面處理層的所述第一部分從所述表面處理層的所述第二部分延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中:
所述槽在所述開口的沿第一方向的至少一側(cè)上,并且
所述第一方向朝向相鄰像素,所述相鄰像素發(fā)射與其中形成有所述表面處理層的像素所發(fā)射的光的顏色不同顏色的光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述槽被成形為沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的直線。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述槽具有朝向所述相鄰像素增加的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述槽具有相等的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述槽具有在所述第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向之間的傾斜形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述槽具有格子形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中:
所述表面處理層以被布置在第二方向上并發(fā)射相同顏色的光的所述像素為單位被形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述槽被成形為沿與所述第二方向延伸的直線,并且
其中所述像素在與所述第二方向交叉的第一方向上被設(shè)置在所述槽中的兩個槽之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述電荷傳輸層沿所述表面處理層被共形地形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示設(shè)備,進一步包括:
電荷注入層,在所述第一電極與所述表面處理層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光顯示設(shè)備,
其中所述槽暴露所述電荷注入層的一部分,并且
其中所述電荷注入層的所述一部分直接接觸所述電荷傳輸層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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