[發明專利]柔性顯示基板和柔性顯示裝置在審
| 申請號: | 202010852496.0 | 申請日: | 2020-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN111863927A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 余豪;趙劍;毛大龍;袁東旭;陳鵬;劉子正;雷慶 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;武漢京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 顯示 顯示裝置 | ||
本發明公開一種柔性顯示基板和柔性顯示裝置,涉及顯示技術領域,用于提高柔性顯示基板的柔性,同時減薄柔性顯示基板的厚度。該柔性顯示基板包括襯底和設置于襯底上的多個子像素。子像素包括位于襯底的同一側、且沿平行于襯底的方向相鄰設置的驅動電路結構和自發光器件,以及位于自發光器件與襯底之間的柔性基層。驅動電路結構用于驅動自發光器件發光。柔性基層的材料包括二氧化硅與鈦離子的混合物。本發明提供的柔性顯示基板,具有較好的柔性,同時具有較薄的厚度,進而使得包括該柔性顯示基板的柔性顯示裝置也可以具有較薄的厚度和較好的柔性。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種柔性顯示基板和柔性顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二級管)顯示裝置具有自發光、不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優異特性。
發明內容
本發明的目的在于提供一種柔性顯示基板和柔性顯示裝置,用于提高柔性顯示基板的彎曲性能,并減薄該柔性顯示基板的厚度。
為了實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
本發明的第一方面提供了一種柔性顯示基板,該柔性顯示基板包括襯底,和設置于襯底上的多個子像素。子像素包括位于襯底的同一側、且沿平行于襯底的方向相鄰設置的驅動電路結構和自發光器件,以及位于自發光器件與襯底之間的柔性基層。驅動電路結構用于驅動自發光器件發光。柔性基層的材料包括二氧化硅與鈦離子的混合物。
在一些實施例中,子像素還包括位于柔性基層與自發光器件之間的阻隔層。
在一些實施例中,阻隔層包括層疊設置的至少兩層第一阻隔層,和位于相鄰兩層第一阻隔層之間的第二阻隔層。第二阻隔層的材料與第一阻隔層的材料不同。
在一些實施例中,相鄰兩層第一阻隔層的相對表面上分別具有凸起部和凹陷部,凸起部至少部分地陷入至凹陷部內;第二阻隔層填充在凸起部和凹陷部之間。
在一些實施例中,凸起部包括多個條狀凸起,多個條狀凸起沿第一方向延伸,且多個條狀凸起沿與第一方向交叉的第二方向排列;凹陷部包括與多個條狀凸起一一對應的多個條狀凹槽,多個條狀凹槽沿第一方向延伸,且多個條狀凹槽沿與第一方向交叉的第二方向排列;其中,第一方向和第二方向均平行于襯底。
在一些實施例中,第一阻隔層的材料包括氮化硅,第二阻隔層的材料包括氧化硅、硅氟氧化合物或者氧化鋁中的至少一種;和/或,第一阻隔層的厚度大于第二阻隔層的厚度。
在一些實施例中,子像素還包括封裝層,封裝層包括覆蓋于自發光器件的第一部分,以及與第一部分相連且與阻隔層背離襯底的至少部分表面接觸的第二部分;其中,封裝層中摻雜有銦金屬材料和/或銦錫合金材料,封裝層被配置為呈絕緣狀態;阻隔層的材料包括無機材料。
在一些實施例中,子像素還包括覆蓋于驅動電路結構和自發光器件的平坦化層;和,依次設置于平坦化層遠離襯底一側的第一導電層、鈍化層和第二導電層;其中,封裝層位于第二導電層遠離襯底的一側;驅動電路結構包括驅動晶體管,自發光器件包括發光功能層和分別位于發光功能層相對兩側的陽極層和陰極層;第一導電層的一端連接公共電壓線,第一導電層的另一端通過第一過孔連接至陽極層;第一過孔穿過平坦化層;第二導電層的一端通過第二過孔連接至驅動晶體管的源極或漏極,第二導電層的第二端通過第三過孔連接至陰極層;第二過孔和第三過孔均同時穿過鈍化層和平坦化層。
在一些實施例中,子像素還包括位于柔性基層與襯底之間的柔性電極層,柔性電極層的材料包括銦錫氧化物。
基于上述柔性顯示基板的技術方案,本發明的第二方面提供了一種柔性顯示裝置,包括上述任一實施例所述的柔性顯示基板。
本發明提供的柔性顯示基板具有如下有益效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





