[發(fā)明專利]柔性顯示基板和柔性顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010852496.0 | 申請日: | 2020-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN111863927A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 余豪;趙劍;毛大龍;袁東旭;陳鵬;劉子正;雷慶 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;武漢京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種柔性顯示基板,其特征在于,包括:
襯底;
設置于所述襯底上的多個子像素,所述子像素包括:
位于所述襯底的同一側、且沿平行于所述襯底的方向相鄰設置的驅動電路結構和自發(fā)光器件,所述驅動電路結構用于驅動所述自發(fā)光器件發(fā)光;
位于所述自發(fā)光器件與所述襯底之間的柔性基層,所述柔性基層的材料包括二氧化硅與鈦離子的混合物。
2.根據(jù)權利要求1所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述子像素還包括:
位于所述柔性基層與所述自發(fā)光器件之間的阻隔層。
3.根據(jù)權利要求2所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述阻隔層包括:
層疊設置的至少兩層第一阻隔層;和,
位于相鄰兩層第一阻隔層之間的第二阻隔層,所述第二阻隔層的材料與所述第一阻隔層的材料不同。
4.根據(jù)權利要求3所述的柔性顯示基板,其特征在于,
所述相鄰兩層第一阻隔層的相對表面上分別具有凸起部和凹陷部,所述凸起部至少部分地陷入至所述凹陷部內(nèi);
所述第二阻隔層填充在所述凸起部和所述凹陷部之間。
5.根據(jù)權利要求4所述的柔性顯示基板,其特征在于,
所述凸起部包括多個條狀凸起,多個所述條狀凸起沿第一方向延伸,且多個所述條狀凸起沿與所述第一方向交叉的第二方向排列;
所述凹陷部包括與所述多個條狀凸起一一對應的多個條狀凹槽,多個所述條狀凹槽沿第一方向延伸,且多個所述條狀凹槽沿與所述第一方向交叉的第二方向排列;
其中,所述第一方向和所述第二方向均平行于所述襯底。
6.根據(jù)權利要求3~5中任一項所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述第一阻隔層的材料包括氮化硅,所述第二阻隔層的材料包括氧化硅、硅氟氧化合物或者氧化鋁中的至少一種;和/或,
所述第一阻隔層的厚度大于所述第二阻隔層的厚度。
7.根據(jù)權利要求2~5中任一項所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述子像素還包括:
封裝層,所述封裝層包括覆蓋于所述自發(fā)光器件的第一部分,以及與所述第一部分相連且與所述阻隔層背離所述襯底的至少部分表面接觸的第二部分;
其中,所述封裝層中摻雜有銦金屬材料和/或銦錫合金材料,所述封裝層被配置為呈絕緣狀態(tài);
所述阻隔層的材料包括無機材料。
8.根據(jù)權利要求7所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述子像素還包括:
覆蓋于所述驅動電路結構和所述自發(fā)光器件的平坦化層;和,
依次設置于所述平坦化層遠離所述襯底一側的第一導電層、鈍化層和第二導電層;
其中,所述封裝層位于所述第二導電層遠離所述襯底的一側;
所述驅動電路結構包括驅動晶體管,所述自發(fā)光器件包括發(fā)光功能層和分別位于所述發(fā)光功能層相對兩側的陽極層和陰極層;
所述第一導電層的一端連接公共電壓線,所述第一導電層的另一端通過第一過孔連接至所述陽極層;所述第一過孔穿過所述平坦化層;
所述第二導電層的一端通過第二過孔連接至所述驅動晶體管的源極或漏極,所述第二導電層的第二端通過第三過孔連接至所述陰極層;所述第二過孔和所述第三過孔均同時穿過所述鈍化層和所述平坦化層。
9.根據(jù)權利要求1~5中任一項所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述子像素還包括:
位于所述柔性基層與所述襯底之間的柔性電極層,所述柔性電極層的材料包括銦錫氧化物。
10.一種柔性顯示裝置,其特征在于,包括:
如權利要求1~9中任一項所述的柔性顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





