[發(fā)明專(zhuān)利]電機(jī)繞組的劣化度檢測(cè)方法、裝置、檢測(cè)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010852069.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112067992B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尤昕宇;丁穎;焦楊;王洪昆;王文剛;邊志宏;王蒙;王萌;馬瑞峰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 神華鐵路裝備有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R31/34 | 分類(lèi)號(hào): | G01R31/34;G01R31/00;G01R23/16 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄭小粵 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電機(jī) 繞組 劣化度 檢測(cè) 方法 裝置 設(shè)備 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
1.一種電機(jī)繞組的劣化度檢測(cè)方法,其特征在于,包括步驟:
獲取待測(cè)電機(jī)繞組在各預(yù)設(shè)測(cè)試頻率下的LCR參數(shù);
根據(jù)各所述LCR參數(shù)以及對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)測(cè)試頻率,生成頻譜特性曲線(xiàn);
提取所述頻譜特性曲線(xiàn)中預(yù)設(shè)頻段的曲線(xiàn),并根據(jù)所述預(yù)設(shè)頻段的曲線(xiàn)獲取最大參數(shù)值;
處理所述最大參數(shù)值以及預(yù)設(shè)參考值,得到所述待測(cè)電機(jī)繞組的劣化度;
所述提取所述頻譜特性曲線(xiàn)中預(yù)設(shè)頻段的曲線(xiàn),并根據(jù)所述預(yù)設(shè)頻段的曲線(xiàn)獲取最大參數(shù)值包括:根據(jù)各頻譜特性曲線(xiàn),獲取包含特征信息最多的特定頻譜特性曲線(xiàn),提取所述特定頻譜特性曲線(xiàn)中的預(yù)設(shè)頻段的曲線(xiàn),并根據(jù)預(yù)設(shè)頻段的曲線(xiàn)獲取最大參數(shù)值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機(jī)繞組的劣化度檢測(cè)方法,其特征在于,還包括步驟:
獲取新機(jī)在各所述預(yù)設(shè)測(cè)試頻率下的空白LCR參數(shù);
根據(jù)各所述空白LCR參數(shù)以及對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)測(cè)試頻率,生成空白頻譜特性曲線(xiàn);
提取所述空白頻譜特性曲線(xiàn)中所述預(yù)設(shè)頻段的空白曲線(xiàn),并根據(jù)所述空白曲線(xiàn)獲取所述預(yù)設(shè)參考值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機(jī)繞組的劣化度檢測(cè)方法,其特征在于,獲取待測(cè)電機(jī)繞組在各預(yù)設(shè)測(cè)試頻率下的LCR參數(shù)的步驟包括:
向LCR測(cè)量?jī)x輸出指令;所述指令用于指示所述LCR測(cè)量?jī)x根據(jù)各所述預(yù)設(shè)測(cè)試頻率設(shè)置輸出頻率,并在設(shè)置完成后分別獲取各所述預(yù)設(shè)測(cè)試頻率對(duì)應(yīng)的所述LCR參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機(jī)繞組的劣化度檢測(cè)方法,其特征在于,處理所述最大參數(shù)值以及預(yù)設(shè)參考值,得到所述待測(cè)電機(jī)繞組的劣化度的步驟中,基于以下公式得到所述劣化度:
其中DD為所述劣化度;Zmax為所述最大參數(shù)值;Z0max為所述預(yù)設(shè)參考值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機(jī)繞組的劣化度檢測(cè)方法,其特征在于,所述LCR參數(shù)包括以下參數(shù)的任意一種或任意組合:電感、電容、電阻、相角、損耗和阻抗。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機(jī)繞組的劣化度檢測(cè)方法,各預(yù)設(shè)測(cè)試頻率落入20Hz至10MHz的區(qū)間內(nèi)。
7.一種電機(jī)繞組的劣化度檢測(cè)裝置,其特征在于,包括:
獲取模塊,用于獲取待測(cè)電機(jī)繞組在各預(yù)設(shè)測(cè)試頻率下的LCR參數(shù);
曲線(xiàn)生成模塊,用于根據(jù)各所述LCR參數(shù)以及對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)測(cè)試頻率,生成頻譜特性曲線(xiàn);
提取模塊,用于提取所述頻譜特性曲線(xiàn)中預(yù)設(shè)頻段的曲線(xiàn),并根據(jù)所述預(yù)設(shè)頻段的曲線(xiàn)獲取最大參數(shù)值;
劣化度生成模塊,用于處理所述最大參數(shù)值以及預(yù)設(shè)參考值,得到所述待測(cè)電機(jī)繞組的劣化度;
所述提取模塊具體用于根據(jù)各頻譜特性曲線(xiàn),獲取包含特征信息最多的特定頻譜特性曲線(xiàn),提取所述特定頻譜特性曲線(xiàn)中的預(yù)設(shè)頻段的曲線(xiàn),并根據(jù)預(yù)設(shè)頻段的曲線(xiàn)獲取最大參數(shù)值。
8.一種電機(jī)繞組的劣化度檢測(cè)設(shè)備,其特征在于,包括用于檢測(cè)待測(cè)電機(jī)繞組的LCR測(cè)量?jī)x、處理器和存儲(chǔ)器;所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序;所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述方法的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電機(jī)繞組的劣化度檢測(cè)設(shè)備,其特征在于,還包括用于容納待測(cè)電機(jī)繞組的試驗(yàn)箱、用于檢測(cè)所述試驗(yàn)箱內(nèi)部溫度的溫度傳感器和用于檢測(cè)所述試驗(yàn)箱內(nèi)部濕度的濕度傳感器。
10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法的步驟。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線(xiàn)路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線(xiàn)或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
- 檢測(cè)方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法以及記錄介質(zhì)
- 檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)組件、檢測(cè)裝置以及檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法及檢測(cè)程序
- 檢測(cè)電路、檢測(cè)裝置及檢測(cè)系統(tǒng)





