[發明專利]一種光學元件及其制備方法在審
| 申請號: | 202010849186.3 | 申請日: | 2020-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN111722308A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 蘭洋;沈健;姚國峰 | 申請(專利權)人: | 深圳市匯頂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B3/00 | 分類號: | G02B3/00;G02B5/04;G02B5/00;G02B5/02 |
| 代理公司: | 北京合智同創知識產權代理有限公司 11545 | 代理人: | 李杰 |
| 地址: | 518045 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光學 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種光學元件,其特征在于,包括:
光學微結構,所述光學微結構是由透鏡、棱鏡或者錐形鏡組成的陣列,所述陣列中相鄰的兩個透鏡、棱鏡或者錐形鏡之間存在空隙;
位于所述光學微結構表面上的無機材料層;
位于所述無機材料層表面上的含氟碳鍵有機層;
其中,所述含氟碳鍵有機層的折射率小于所述光學微結構的折射率。
2.如權利要求1所述的光學元件,其特征在于,還包括:
設置于所述光學微結構之下的基底,用于支撐所述光學微結構。
3.如權利要求1或者2所述的光學元件,其特征在于,所述無機材料層的折射率大于所述含氟碳鍵有機層的折射率,且,小于所述光學微結構的折射率。
4.如權利要求2所述的光學元件,其特征在于,所述光學微結構,從靠近所述基底一側到遠離所述基底一側,其截面面積逐漸減小。
5.如權利要求4所述的光學元件,其特征在于,所述光學微結構,從靠近所述基底一側到遠離所述基底一側,其截面面積逐漸減小,包括:
所述光學微結構中的微透鏡為匯聚光束的凸形微透鏡,或者,所述光學微結構中的微透鏡為折射光束的錐形鏡或者棱鏡;
所述凸形微透鏡、錐形鏡或者棱鏡從靠近所述基底一側到遠離所述基底一側,其截面面積逐漸減小。
6.如權利要求1或者2所述的光學元件,其特征在于,所述無機材料層的厚度為5nm至300m,相應的,所述含氟碳鍵有機層的厚度為40nm至1000m。
7.如權利要求1或者2所述的光學元件,其特征在于,所述無機材料層為SiO2、TiO2、Si3N4或者Al2O3材料層。
8.如權利要求1或者2所述的光學元件,其特征在于,所述含氟碳鍵有機層所采用的材料為聚四氟乙烯PTFE、氟化乙烯丙烯共聚物FEP或者以聚四氟乙烯分子長鏈為骨架的聚合物。
9.一種光學元件的制備方法,其特征在于,包括:
將無機材料沉積至光學微結構表面,生成位于所述光學微結構的表面上的無機材料層,其中,所述光學微結構是由透鏡、棱鏡或者錐形鏡組成的陣列,所述陣列中相鄰的兩個透鏡、棱鏡或者錐形鏡之間存在空隙;
將含氟碳鍵有機材料沉積至所述無機材料層表面,生成位于所述無機材料層表面上的含氟碳鍵有機層;
其中,所述含氟碳鍵有機層的折射率小于所述光學微結構的折射率。
10.如權利要求9所述的方法,其特征在于,將含氟碳鍵有機材料沉積至所述無機材料層表面,包括:
采用等離子體增強化學汽相沉積法,將所述含氟碳鍵有機材料沉積至所述無機材料層表面。
11.如權利要求9所述的方法,其特征在于,所述無機材料層的折射率大于所述含氟碳鍵有機層的折射率,且,小于所述光學微結構的折射率。
12.如權利要求9所述的方法,其特征在于,所述無機材料層的厚度為5nm至300nm,相應的,所述含氟碳鍵有機層的厚度為40nm至1000nm。
13.如權利要求9所述的方法,其特征在于,所述無機材料為SiO2、TiO2、Si3N4或者Al2O3。
14.如權利要求9所述的方法,其特征在于,所述含氟碳鍵有機材料為聚四氟乙烯PTFE、氟化乙烯丙烯共聚物FEP或者以聚四氟乙烯分子長鏈為骨架的聚合物。
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