[發明專利]封裝結構在審

申請號：	202010848754.8	申請日：	2020-08-21
公開（公告）號：	CN112420684A	公開（公告）日：	2021-02-26
發明（設計）人：	張進傳;盧思維	申請（專利權）人：	臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號：	H01L25/16	分類號：	H01L25/16;H01L21/98;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/56
代理公司：	隆天知識產權代理有限公司 72003	代理人：	聶慧荃;閆華
地址：	中國臺***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	封裝結構
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【說明書】：

本公開提供一種封裝結構，包括一第一重分布結構和在第一重分布結構上的一中介層。封裝結構還包括圍繞中介層的一模塑料層，以及在中介層上方的一第二重分布結構。模塑料層在第一重分布結構和第二重分布結構之間。封裝結構還包括在第二重分布結構上方的一第一半導體裸片和一第二半導體裸片。

技術領域

本公開實施例涉及一種封裝結構及其形成方法。

背景技術

在各種電子應用，例如個人電腦、手機、數字相機和其他電子裝置中使用了半導體裝置。通常是通過在半導體基板上依序沉積絕緣層或介電層、導電層和半導體層，并使用光刻工藝和蝕刻工藝圖案化各種材料層，以在材料層上形成電路部件和元件來制造半導體裝置。

半導體工業通過不斷減小最小特征尺寸來繼續提高各種電子部件(例如，晶體管，二極管，電阻器，電容器等)的整合密度，這允許將更多的部件整合到給定區域中。在某些應用中，這些較小的電子組件還使用較小的封裝，而這封裝是使用較小的面積或較低的高度。

一些新式封裝技術已開展以進一步提高半導體裸片的密度和功能。例如，已經發展了三維集成電路(3D-IC)封裝。這些用于半導體裸片的較新類型的封裝技術面臨制造挑戰，且它們并未在所有方面均完全令人滿意。

發明內容

本公開實施例的目的在于提供一種封裝結構，以解決上述至少一個問題。

根據一些實施例，提供了一種封裝結構。封裝結構包括一第一重分布結構和在第一重分布結構上的一中介層。封裝結構還包括圍繞中介層的一模塑料層，以及中介層上的一第二重分布結構。模塑料層在第一重分布結構和第二重分布結構之間。封裝結構還包括在第二重分布結構上方的一第一半導體裸片和第二半導體裸片。

根據一些實施例，提供了一種封裝結構。封裝結構包括一第一重分布結構和在第一重分布結構上的一中介層。中介層包含在一基板上方的一導電墊和在導電墊上方的一導電柱。封裝結構還包括中介層上的一第二重分布結構。封裝結構還包括一第一半導體裸片、一第二半導體裸片以及在第二重分布結構上方的一表面安裝器件(surface-mountdevice，SMD)。第一半導體裸片通過第二重分布結構電性連接到導電柱。

根據一些實施例，提供了封裝結構的形成方法。形成方法包括形成圍繞一第一中介層的一第一模塑料層；在第一中介層的一第一側和第一模塑料層上形成一第一重分布結構；通過多個第一連接件將一第一半導體裸片和一第二半導體裸片接合到第一重分布結構；在與第一中介層的第一側相對的第一中介層的一第二側上形成一第二重分布結構。

附圖說明

以下將配合所附附圖詳述本公開的實施例。應注意的是，依據在業界的標準做法，多種特征并未按照比例示出且僅用以說明例示。事實上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現出本公開的特征。

圖1A至圖1L是根據本公開一些實施例的形成封裝結構的工藝的各個階段的剖面圖。

圖2A至圖2D是根據本公開一些實施例的形成封裝結構的工藝的各個階段的剖面圖。

附圖標記如下：

100,200:封裝結構

101:基板

103:通孔

105:導電墊

107:鈍化層

108:中介層晶片

109:導電柱