[發(fā)明專利]芯片整配系統(tǒng)及芯片整配方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010848710.5 | 申請日: | 2020-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN114078720A | 公開(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 顏伍宏;黃議賢;林畯棠;陳淑華;張守騏 | 申請(專利權(quán))人: | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 系統(tǒng) 配方 | ||
本發(fā)明涉及一種芯片整配系統(tǒng)及芯片整配方法,包括先將第一晶圓中的多個第一電子元件定義為不同等級的芯片,且將第二晶圓中的多個第二電子元件定義為不同等級的芯片,再將該第一電子元件與第二電子元件進行等級配對,以產(chǎn)生目標(biāo)資訊,之后將該第一與第二電子元件依據(jù)該目標(biāo)資訊整合于同一處,故可將最高等級的芯片配置于多芯片模塊中,以優(yōu)化該多芯片模塊的品質(zhì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)封裝制程,特別有關(guān)于多芯片模塊封裝制程的芯片整配系統(tǒng)及芯片整配方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有半導(dǎo)體制程中,晶圓于制造完成后,會進行薄化、封裝、切單等制程,其中,于進行各制程時,需經(jīng)由承載板(如封裝基板、暫時性玻璃載板或其它等)承載該晶圓或芯片。
于生產(chǎn)線上,需先挑選出不良的芯片,再將良好的芯片重新排列于承載板上。如圖1所示,先對晶圓1a進行品質(zhì)檢測,以判斷出良好(accept)芯片與不良(reject)芯片X,再將各該良好芯片進行功能表現(xiàn)(functionality performance)的品質(zhì)分類,以依序功能表現(xiàn)的高低,定義出第一等級芯片1、第二等級芯片7、第三等級芯片8及第四等級芯片9,其中,功能表現(xiàn)以第一等級最好,第四等級最差。之后,依照S形連續(xù)轉(zhuǎn)彎路徑L逐一揀選(pick)良好芯片(第一等級芯片1、第二等級芯片7、第三等級芯片8及第四等級芯片9)至承載板上,再進行后續(xù)封裝作業(yè)。
早期封裝結(jié)構(gòu)通常只需單一芯片即可滿足功能需求,故于生產(chǎn)線上只需進行一次芯片封裝制程(如覆晶制程或打線制程)。
然而,因為多功能發(fā)展與高頻高速運算的需求,產(chǎn)品的需求已朝向多芯片模塊(multi-chip module,MCM)的發(fā)展。
如圖1’所示,現(xiàn)有多芯片模塊1’需將多個芯片11,12經(jīng)由多個焊錫凸塊13結(jié)合至一封裝基板10上,再形成包覆該多個芯片11,12的封裝材料14,之后可進行植球制程或其它制程等,故于生產(chǎn)線上,需在單一封裝基板10上配置多顆芯片11,12,即于生產(chǎn)線上需進行多次芯片打件(pick and place)制程。
然而,于生產(chǎn)線上,該些芯片11,12由不同晶圓中取得,且各該晶圓的芯片11,12的等級狀態(tài)(如位置、數(shù)量等)不一致,故若依照該S形連續(xù)轉(zhuǎn)彎路徑L逐一揀選(pick)良好芯片(第一等級芯片1、第二等級芯片7、第三等級芯片8及第四等級芯片9)至承載板(如封裝基板10)上,將無法控制單一多芯片模塊1’中的各芯片11,12的等級,造成各該多芯片模塊1’的功能狀態(tài)無法控制,以致于后續(xù)品管作業(yè)需淘汰大量功能狀態(tài)不佳的多芯片模塊1’(如該些芯片11,12全部或大多為第四等級芯片9)。
因此,如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,已成目前亟欲解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種芯片整配系統(tǒng)及芯片整配方法,以優(yōu)化多芯片模塊的品質(zhì)。
本發(fā)明的芯片整配系統(tǒng)包括:第一作動裝置,其用于位移第一晶圓所定義出的多個不同等級的第一電子元件;第二作動裝置,其用于位移第二晶圓所定義出的多個不同等級的第二電子元件;以及運算模塊,其通訊連接該第一作動裝置與第二作動裝置,以將該第一電子元件與第二電子元件進行等級配對而產(chǎn)生目標(biāo)資訊,從而使該第一作動裝置與第二作動裝置依據(jù)該目標(biāo)資訊將至少一該第一電子元件與至少一該第二電子元件整合于一處。
前述芯片整配系統(tǒng)中,該第一作動裝置傳遞第一狀態(tài)資訊至該運算模塊,且該第二作動裝置傳遞第二狀態(tài)資訊至該運算模塊,使該運算模塊依該第一狀態(tài)資訊與該第二狀態(tài)資訊進行等級配對而產(chǎn)生該目標(biāo)資訊,其中,該第一狀態(tài)資訊為該多個第一電子元件配合其等級的資訊,且該第二狀態(tài)資訊為該多個第二電子元件配合其等級的資訊。
本發(fā)明還提供一種芯片整配方法,包括:分別于第一晶圓及第二晶圓中定義出不同等級的多個第一電子元件與多個第二電子元件;將該多個第一電子元件與該多個第二電子元件進行等級配對,以產(chǎn)生目標(biāo)資訊;以及將至少一該第一與至少一該第二電子元件依據(jù)該目標(biāo)資訊整合于同一處。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于矽品精密工業(yè)股份有限公司,未經(jīng)矽品精密工業(yè)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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