[發明專利]一種堆疊MOS器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202010845669.6
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN112151616B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 劉金彪;張青竹;殷華湘;李俊峰;王垚
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

1.一種堆疊MOS器件，其特征在于，包括半導體襯底，在所述半導體襯底表面由下至上依次堆疊有多個PN結構，所述多個PN結構中的溝道區的摻雜濃度由下至上遞增；

每個所述PN結構包括：

氧化硅層，

設置于所述氧化硅層上表面的源區、漏區、溝道區，所述溝道區設置在所述源區和所述漏區之間，并且溝道區與所述氧化硅層的邊界線低于所述源區與所述氧化硅層的邊界線，也低于所述漏區與所述氧化硅層的邊界線；

并且位于頂部的所述PN結構的溝道區表面依次設有絕緣層、柵極。

2.根據權利要求1所述的堆疊MOS器件，其特征在于，在所述半導體襯底表面由下至上依次堆疊有至少3個PN結構。

3.根據權利要求1所述的堆疊MOS器件，其特征在于，所述PN結構中，所述源區和所述漏區為N型摻雜的硅層，所述溝道區為P型摻雜的硅層。

4.根據權利要求1所述的堆疊MOS器件，其特征在于，所述PN結構中，所述源區和所述漏區為P型摻雜的硅層，所述溝道區為N型摻雜的硅層。

5.根據權利要求1所述的堆疊MOS器件，其特征在于，所述絕緣層為氧化硅，所述半導體襯底為硅襯底。

6.一種堆疊MOS器件的制備方法，其特征在于，包括：

步驟A：在半導體襯底上沉積氧化硅層；

步驟B：在所述氧化硅表面沉積硅層，向所述硅層的左右兩側的內部分別注入氧等離子體，然后向所述硅層的左右兩側的表面注入N型或P型摻雜，分別形成源區、漏區；

步驟C：向所述硅層剩余中間部分注入與左右兩側相反的摻雜，形成溝道區；

步驟D：至少重復所述沉積氧化硅層和所述步驟B和所述步驟C一次；每次重復所述步驟C時的摻雜濃度高于前一次步驟C的摻雜濃度；

步驟E：在最后形成的溝道區上依次沉積絕緣層、柵極。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述源區和所述漏區為N型摻雜，所述溝道區為P型摻雜。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述源區和所述漏區為P型摻雜，所述溝道區為N型摻雜。