[發(fā)明專利]一種T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)及其加工方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010844382.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112079328A | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚瑤;陳云;侯茂祥;陳燕輝;施達(dá)創(chuàng);陳新;高健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B81C1/00 | 分類號(hào): | B81C1/00;B81B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 廣東廣信君達(dá)律師事務(wù)所 44329 | 代理人: | 彭玉婷 |
| 地址: | 510062 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 懸臂梁 微結(jié)構(gòu) 及其 加工 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)的加工方法,其特征在于,包括如下具體步驟:
S1.在清洗的硅基表面上采用800~850℃低壓化學(xué)氣相沉積法生長氮化硅,然后旋涂光刻膠,將用所需圖形的掩模板覆蓋在光刻膠上,在紫外光下對(duì)氮化硅SiN4層表面的光刻膠進(jìn)行曝光顯影得到圖案;通過光刻在該氮化硅基底上,加工出各種圖案,出現(xiàn)基底的顯影區(qū)域,然后在CHF3/O2條件下,用等離子體干法各向異性刻蝕該顯影區(qū)域;
S2.利用電子束在步驟S1處理的氮化硅表面上進(jìn)行蒸鍍貴金屬膜,得到鍍貴金屬的氮化硅基底;
S3.將鍍貴金屬的氮化硅基底浸入刻蝕液中攪拌,進(jìn)行各向同性刻蝕,得到上寬下窄的微結(jié)構(gòu),清洗其表面,制得T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)的加工方法,其特征在于,步驟S1中所述清洗的過程為:先用體積比為1:1的91~96wt%的H2SO4和25~30wt%的H2O2食人魚溶液在100~110℃處理10~15min,然后用2~5wt%的HF溶液處理2~3min,最后用氮?dú)獯蹈伞?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)的加工方法,其特征在于,步驟S1中所述氣相沉積的時(shí)間為30~35min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)的加工方法,其特征在于,步驟S1中所述氮化硅的厚度為200~250nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)的加工方法,其特征在于,步驟S2中所述貴金屬為金、銀或鉑;所述貴金屬膜的厚度為12~16nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)的加工方法,其特征在于,步驟S3中所述刻蝕液為HF、HNO3和CH3COOH的混合液。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)的加工方法,其特征在于,所述HF、HNO3和CH3COOH的體積比為(2~4):(20~25):(10~12);所述HF的濃度為48~50wt%,HNO3的濃度為55~60wt%:CH3COOH的濃度為95~98wt%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)的加工方法,其特征在于,步驟S3中所述攪拌的速率為300~350rpm,所述刻蝕的時(shí)間為3~5min。
9.一種T型懸臂梁微結(jié)構(gòu),其特征在于,所述T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)是由權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的方法制得。
10.權(quán)利要求9所述的T型懸臂梁微結(jié)構(gòu)在水棲設(shè)備、防水防油、微流體技術(shù)或生物醫(yī)療領(lǐng)域中的應(yīng)用。
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