[發明專利]一種晶圓高溫測試針痕控制的方法

在審

• 申請號: 202010842926.0
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN111948519A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 李錦光
• 申請（專利權）人: 廣東全芯半導體有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 深圳叁眾知識產權代理事務所(普通合伙) 44434
• 代理人: 杜立光

本發明公開了一種晶圓高溫測試針痕控制的方法，包括以下步驟：S1、校準系統；S2、載入系統；S3、延遲系統；S4、數據收集；S5、數據檢測；S6、預熱處理；S7、系統測試；本發明通過監測后獲取的時間數據為在等溫的條件下隨著溫度的不斷升高晶圓的厚度緩慢增高，同時探針在預熱處理后一直因熱傳導的效果使得探針在相同下壓狀態情況下晶圓針痕在預熱處理的五十秒后處于均衡狀態，因此控制好預熱處理溫度的時長即可實現對同等情況下的均衡下壓針痕的效果，通過管控好預熱處理的溫度控制時間即可有效的降低用戶操控探頭下壓深度操作的便捷性進而有力的提升了用戶對晶圓高溫測試過程中的針痕管控效果從而有效的彌補了現有技術中的不足。

技術領域

本發明涉及晶圓高溫測試控制技術領域，特別是涉及一種晶圓高溫測試針痕控制的方法。

背景技術

晶圓測試是對晶片上的每個晶粒進行針測，在檢測頭裝上以金線制成細如毛發之探針，與晶粒上的接點接觸，測試其電氣特性，不合格的晶粒會被標上記號，而后當晶片依晶粒為單位切割成獨立的晶粒時，標有記號的不合格晶粒會被洮汰，不再進行下一個制程，以免徒增制造成本，在晶圓制造完成之后，晶圓測試是一步非常重要的測試，這步測試是晶圓生產過程的成績單，在測試過程中，每一個芯片的電性能力和電路機能都被檢測到，晶圓測試也就是芯片測試或晶圓電測，在測試時，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測器對準，同時探針與芯片的每一個焊接墊相接觸，電測器在電源的驅動下測試電路并記錄下結果，測試的數量、順序和類型由計算機程序控制，測試機是自動化的，所以在探針電測器與第一片晶圓對準后(人工對準或使用自動視覺系統)的測試工作無須操作員的輔助，但現有技術中在對晶圓高溫測試過程中很難把控好探針下壓針痕受溫度影響而管控預熱處理的管控效果，在實際的控制操作方法上還存在一定的不足，例如：

現有的檢測管控方法無法準確獲取預熱處理時探針下壓深度影響的確切精度，從而使得預熱處理后用戶在實際操控時很難把控好處理時間，因此在對后續的下壓深度操作會產生巨大的影響。

發明內容

為實現上述目的，本發明采用的一個技術方案是：提供一種晶圓高溫測試針痕控制的方法，包括以下步驟：S1、校準系統：將測試機連接的自動化測試實施校準，并調整測試時間與測試溫度同時校準對位；S2、載入系統：將待測晶圓通過透明玻璃板載入載片臺，同時通過紅外定位傳感器對待測晶圓實施對位檢測；S3、延遲系統：將測試機檢測待測晶圓的測試時間實施延遲三十秒；S4、數據收集：對延遲后進行檢測的待測晶圓的時間數據實施采集，并記錄采集的時間的間隔，且時間的間隔為每三秒一次；S5、數據檢測：對收集到的時間數據分隔時間段實施檢測，對存在間隔時間誤差的數據分為一類，并對校準時間內的數據分為一類；S6、預熱處理：對數據收集后的晶圓在收集完畢后通過晶軸流的溫度傳導對探針進行預熱并持續五十秒；S7、系統測試：對待測晶圓進行測試并通過溫度傳感器全程監測待測晶圓的測試溫度。

其中，所述校準系統內的測試時間和測試溫度為同步校準。

其中，所述載入系統內的載片臺內置有加熱系統，加熱系統與測試機電信號連接。

其中，所述延遲系統內的三十秒延遲時間為每五秒延遲一次。

其中，所述數據收集內的時間數據采集和對晶圓測試時間數據實施同步收集。

其中，所述數據檢測內的分隔時間段為每二十秒一次。

其中，所述預熱處理內的預熱五十秒為恒溫預熱處理。

其中，所述系統測試內的探針臺數據檢測完畢后再次回歸校準系統依次進行。