[發明專利]一種晶圓高溫測試針痕控制的方法在審
| 申請號： | 202010842926.0 | 申請日： | 2020-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN111948519A | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發明（設計）人： | 李錦光 | 申請（專利權）人： | 廣東全芯半導體有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 深圳叁眾知識產權代理事務所(普通合伙) 44434 | 代理人： | 杜立光 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市松山湖*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高溫 測試 控制 方法 | ||
1.一種晶圓高溫測試針痕控制的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、校準系統：將測試機連接的自動化測試實施校準，并調整測試時間與測試溫度同時校準對位；
S2、載入系統：將待測晶圓通過透明玻璃板載入載片臺，同時通過紅外定位傳感器對待測晶圓實施對位檢測；
S3、延遲系統：將測試機檢測待測晶圓的測試時間實施延遲三十秒；
S4、數據收集：對延遲后進行檢測的待測晶圓的時間數據實施采集，并記錄采集的時間的間隔，且時間的間隔為每三秒一次；
S5、數據檢測：對收集到的時間數據分隔時間段實施檢測，對存在間隔時間誤差的數據分為一類，并對校準時間內的數據分為一類；
S6、預熱處理：對數據收集后的晶圓在收集完畢后通過晶軸流的溫度傳導對探針進行預熱并持續五十秒；
S7、系統測試：對待測晶圓進行測試并通過溫度傳感器全程監測待測晶圓的測試溫度。
2.根據權利要求1所述的一種晶圓高溫測試針痕控制的方法，其特征在于，所述校準系統內的測試時間和測試溫度為同步校準。
3.根據權利要求1所述的一種晶圓高溫測試針痕控制的方法，其特征在于，所述載入系統內的載片臺內置有加熱系統，加熱系統與測試機電信號連接。
4.根據權利要求1所述的一種晶圓高溫測試針痕控制的方法，其特征在于，所述延遲系統內的三十秒延遲時間為每五秒延遲一次。
5.根據權利要求1所述的一種晶圓高溫測試針痕控制的方法，其特征在于，所述數據收集內的時間數據采集和對晶圓測試時間數據實施同步收集。
6.根據權利要求5所述的一種晶圓高溫測試針痕控制的方法，其特征在于，所述數據檢測內的分隔時間段為每二十秒一次。
7.根據權利要求5所述的一種晶圓高溫測試針痕控制的方法，其特征在于，所述預熱處理內的預熱五十秒為恒溫預熱處理。
8.根據權利要求1所述的一種晶圓高溫測試針痕控制的方法，其特征在于，所述系統測試內的探針臺數據檢測完畢后再次回歸校準系統依次進行。
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