[發(fā)明專利]一種Cu-PANI同軸納米線陣列的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010842280.6 | 申請日： | 2020-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN111962126A | 公開（公告）日： | 2020-11-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊金爽;李瑩;王宏智;邱健睿 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津市食品安全檢測技術(shù)研究院 |
| 主分類號： | C25D11/12 | 分類號： | C25D11/12;C25D1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津合正知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12229 | 代理人： | 張艷梅 |
| 地址： | 300308 天津市*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cu pani 同軸 納米 陣列 制備 方法 | ||
1.一種Cu-PANI同軸納米線陣列的制備方法，其特征在于：將二次陽極氧化鋁膜模板電極置于電解液1中控電位沉積得到PANI納米管，沉積電位為0.7～1.0V，電解液1溫度為20～40℃，沉積時間為20-200s；再將制備的PANI納米管置于電解液2中于PANI納米管中控電位沉積Cu納米線，沉積電位為-0.3～0.0V，電解液2溫度為20～50℃，沉積時間500～3200s；然后將二次陽極氧化鋁膜電極置于NaOH溶液中溶解AAO模板，經(jīng)超聲清洗，放入烘箱烘干后，得到Cu-PANI同軸納米線陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種Cu-PANI同軸納米線陣列的制備方法，其特征在于：將二次陽極氧化鋁膜模板電極置于電解液1中控電位沉積得到PANI納米管，沉積電位為0.8V，電解液1溫度為30℃，沉積時間為100s；再將制備的PANI納米管置于電解液2中于PANI納米管中控電位沉積Cu納米線，沉積電位為0.0V，電解液2溫度為30℃，沉積時間1800s。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種Cu-PANI同軸納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述的電解液1由苯胺和鹽酸組成，其中苯胺0.2～0.6mol/L，鹽酸0.8～1.2mol/L；電解液2由CuSO4和Na2SO4組成，其中CuSO4 20～80g/L，Na2SO42～10g/L。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種Cu-PANI同軸納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述的電解液1由苯胺和鹽酸組成，其中苯胺0.5mol/L，鹽酸1.0mol/L；電解液2由CuSO4和Na2SO4組成，其中CuSO4 50g/L，Na2SO4 5g/L。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Cu-PANI同軸納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述的同軸納米線陣列外部為PANI管，內(nèi)部為Cu納米線，從而形成同軸結(jié)構(gòu)的納米線，納米線直徑為120nm，長度為0.4～2.5μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種Cu-PANI同軸納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述的同軸納米線陣列外部為PANI管，內(nèi)部為Cu納米線，從而形成同軸結(jié)構(gòu)的納米線，納米線直徑為120nm，長度為1.2μm。
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