[發明專利]半導體存儲裝置以及半導體存儲裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202010842231.2
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN112530960A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 野田耕生
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導體存儲裝置，具備：

基板；

層疊體，層疊于所述基板的上方，

所述層疊體具有第一層疊部和第二層疊部，該第一層疊部交替地層疊有第一絕緣層和第二絕緣層，該第二層疊部交替地層疊有導電層和所述第一絕緣層，

所述半導體存儲裝置具有柱，該柱在所述第二層疊部內沿著所述第二層疊部的層疊方向延伸，并在與多個所述導電層中的至少一部分的導電層交叉的交叉部形成有存儲單元，

所述第二絕緣層包括含有第一絕緣材料的內側部分、以及含有第二絕緣材料的端面側部分。

2.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，

在所述第一層疊部設有接觸件，該接觸件沿所述第一層疊部的層疊方向而形成。

3.如權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，

所述第一絕緣層與所述第二絕緣材料含有氧化硅。

4.如權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，

所述端面側部分的與所述層疊方向交叉的方向的厚度設為15nm以上。

5.如權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，

在所述第一層疊部與所述第二層疊部之間的一部分，還具備貫通所述層疊體的狹縫狀的絕緣體。

6.一種半導體存儲裝置的制造方法，包括如下工序：

在形成有導電層的基板上，交替地層疊第一絕緣層和第二絕緣層而形成層疊體；

在所述層疊體上，形成貫通所述層疊體的柱以及柱狀部；

在所述層疊體上，以貫通所述層疊體的方式形成絕緣層置換用的第一狹縫以及保護膜形成用的多個第二狹縫；

以堵塞所述第一狹縫的開口并且保持所述第二狹縫的開口的方式形成抗蝕劑圖案；

進行蝕刻，形成所述第二絕緣層的端面配置在比第一絕緣層的端面靠深處的位置的槽部；

去除所述抗蝕劑圖案；

在所述槽部形成保護膜；

至少將與所述柱相接的所述第二絕緣層的一部分置換為導電層。

7.如權利要求6所述的半導體存儲裝置的制造方法，

在一個所述第二狹縫與另一個所述第二狹縫之間還形成接觸件，該接觸件貫通所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層的另一部分。