[發明專利]QPQ鹽浴濃度分析儀用恒溫控制系統及其溫度控制方法

在審

• 申請號: 202010841708.5
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN111896473A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 周海建;王浩凌
• 申請（專利權）人: 湖南申億五金標準件有限公司
• 主分類號: G01N21/03
• 分類號: G01N21/03;G05D23/22;G05D23/24
• 代理公司: 長沙鑫澤信知識產權代理事務所(普通合伙) 43247
• 代理人: 尹鋒

1.一種QPQ鹽浴濃度分析儀用恒溫控制系統，其特征在于，包括具有多個比色皿的檢測室、與所述檢測室連接并用于控制所述檢測室溫度的第一溫控裝置與第二溫控裝置、與所述第一溫控裝置連接的第一控制器、與所述第二溫控裝置連接的第二控制器及分別與所述第一控制器及所述第二控制器連接的總控制器，所述第一控制器配合所述第一溫控裝置對所述檢測室進行加熱粗控制，所述第二控制器配合所述第二溫控裝置對所述檢測室進行加熱細控制。

2.根據權利要求1所述的QPQ鹽浴濃度分析儀用恒溫控制系統，其特征在于，所述檢測室還包括底壁、與所述底壁相對設置的頂壁及連接所述底壁與所述頂壁的側壁，所述底壁、所述頂壁及所述側壁共同圍成收容空間，所述第一溫控裝置包括嵌設于所述底壁并分別與所述第一控制器連接的第一溫度傳感器與加熱絲，所述比色皿靠近所述加熱絲設置并與所述底壁固定連接。

3.根據權利要求2所述的QPQ鹽浴濃度分析儀用恒溫控制系統，其特征在于，所述第一控制器為PID溫度控制器。

4.根據權利要求2所述的QPQ鹽浴濃度分析儀用恒溫控制系統，其特征在于，所述第二溫控裝置包括設置于所述收容空間內的半導體制冷器、設置于所述收容空間內的第二溫度傳感器、貼設于所述頂壁內側的多塊散熱片及設置于所述側壁并連通所述收容空間與外界的散熱風扇，所述半導體制冷器及所述第二溫度傳感器均與所述第二控制器電連接。

5.根據權利要求4所述的QPQ鹽浴濃度分析儀用恒溫控制系統，其特征在于，所述第二控制器為TEC控制器。

6.根據權利要求2所述的QPQ鹽浴濃度分析儀用恒溫控制系統，其特征在于，所述檢測室的材料為金屬銅。

7.根據權利要求4所述的QPQ鹽浴濃度分析儀用恒溫控制系統，其特征在于，所述第一溫度傳感器為熱電偶，所述第二溫度傳感器均為熱敏電阻。

8.一種QPQ鹽浴濃度分析儀的溫度控制方法，提供如權利要求1所述的QPQ鹽浴濃度分析儀用恒溫控制系統，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S10、溫度低于目標溫度時，所述總控制器向所述第一控制器發送工作信號，所述第一控制器控制所述第一溫控裝置對所述檢測室進行持續加熱，所述檢測室內的多個所述比色皿保持同步加熱狀態；

步驟S20、所述第一溫控裝置檢測所述檢測室內的溫度，當所述檢測室內的溫度超過所述目標溫度時，所述總控制器向所述第一控制器發送停止工作信號，并向所述第二控制器發送工作信號，所述第二控制器控制所述第二溫控裝置對所述檢測室進行溫度控制，使所述檢測室的溫度始終保持為目標溫度。

9.根據權利要求8所述的QPQ鹽浴濃度分析儀的溫度控制方法，其特征在于，所述第一溫控裝置包括嵌設于所述檢測室的底壁內并分別與所述第一控制器連接的第一溫度傳感器與加熱絲，所述第二溫控裝置包括設置于所述檢測室內的半導體制冷器、第二溫度傳感器、多塊散熱片及連通所述檢測室與外界的散熱風扇，所述半導體制冷器及所述第二溫度傳感器分別與所述第二控制器電連接，

步驟S10包括如下子步驟：

步驟S11、所述第一溫度傳感器實時采集所述檢測室內的溫度信息，并將所述溫度信息發送至第一控制器；

步驟S12、所述第一控制器將所述溫度信息發送至所述總控制器，所述總控制器將所述溫度信息與預存的目標溫度進行比較，若所述溫度信息小于所述目標溫度，所述總控制器向所述第一控制器發送工作信號，所述第一控制器控制所述加熱絲加熱，若所述溫度信息大于或等于所述目標溫度，所述總控制器向所述第一控制器發送停止工作信號，所述加熱絲停止加熱，并向所述第二控制器發送工作信號，所述第二控制器控制所述半導體制冷器對所述檢測室加熱或制冷，使所述檢測室內的溫度保持在目標溫度。

10.根據權利要求9所述的QPQ鹽浴濃度分析儀的溫度控制方法，其特征在于，所述目標溫度為610℃-650℃。