[發明專利]橫向擴散晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 202010840847.6
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN112002759A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 葛薇薇
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;李秀霞

1.一種橫向擴散晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上表面的漂移區；

位于所述漂移區上部一端的漏區和另一端的體區；

位于所述體區上部且由內到外而相繼設置的源區和體接觸區，其中，所述體接觸區在所述體區內以底部深于所述源區底部的方式設置；

位于所述體區上表面且延伸到所述漂移區上表面至少一部分的柵極結構。

2.根據權利要求1所述的橫向擴散晶體管，其特征在于，還包括：第一摻雜區，其中，

所述第一摻雜區的摻雜類型和所述體接觸區的摻雜類型相同；

所述第一摻雜區位于所述體區內，與所述體區的邊緣留有間隙，并且和所述源區分離設置；

以及，所述第一摻雜區位于所述體接觸區的下方和/或內側，且與所述體接觸區接觸。

3.根據權利要求2所述的橫向擴散晶體管，其特征在于，

所述第一摻雜區和所述體接觸區皆呈立方體型；

所述第一摻雜區和所述體接觸區在豎直方向上堆疊設置；

且所述第一摻雜區的上表面和所述體接觸區的下表面接觸。

4.根據權利要求3所述的橫向擴散晶體管，其特征在于，所述第一摻雜區的內側端以以下任一種方式設置：

所述第一摻雜區的內側端和所述體接觸區的內側端在豎直上齊平；

所述第一摻雜區的內側端位于所述源區下方且設置于所述源區的內側端和外側端之間；

所述第一摻雜區的內側端位于所述源區下方且和所述源區的內側端在豎直上齊平；

所述第一摻雜區的內側端經所述源區下方而延伸到所述源區內側端以內。

5.根據權利要求2所述的橫向擴散晶體管，其特征在于，

所述第一摻雜區和所述體接觸區皆呈立方體型；

所述第一摻雜區和所述體接觸區在水平方向上并排設置；

且所述第一摻雜區的外側端和所述體接觸區的內側端接觸。

6.根據權利要求5所述的橫向擴散晶體管，其特征在于，所述第一摻雜區的內側端以以下任一種方式設置：

所述第一摻雜區的內側端位于所述源區下方且設置于所述源區的內側端和外側端之間；

所述第一摻雜區的內側端位于所述源區下方且和所述源區的內側端在豎直上齊平；

所述第一摻雜區的內側端經所述源區下方而延伸到所述源區內側端以內。

7.根據權利要求2-6中任一項所述的橫向擴散晶體管，其特征在于，還包括：第二摻雜區，其中，

所述第二摻雜區的摻雜類型和所述體接觸區的摻雜類型相同；

所述第二摻雜區位于所述漂移區內，與所述漂移區的邊緣留有間隙，并且和所述漏區以及所述體區皆分離設置。

8.根據權利要求7所述的橫向擴散晶體管，其特征在于，

所述第二摻雜區和所述第一摻雜區皆呈立方體型，且二者之間的厚度相同；

以及，所述第二摻雜區和所述第一摻雜區各自的下表面與所述襯底上表面之間的間隔距離相等。

9.根據權利要求7所述的橫向擴散晶體管，其特征在于，

所述襯底為P型摻雜半導體，所述漂移區為N型摻雜半導體，所述漏區為N+型摻雜半導體，所述體區為P型摻雜半導體，所述源區為N+型摻雜半導體，所述體接觸區為P+型摻雜半導體，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區皆為P型摻雜半導體；

或者，所述襯底為N型摻雜半導體，所述漂移區為P型摻雜半導體，所述漏區為P+型摻雜半導體，所述體區為N型摻雜半導體，所述源區為P+型摻雜半導體，所述體接觸區為N+型摻雜半導體，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區皆為N型摻雜半導體。

10.一種橫向擴散晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底的上表面形成漂移區；

在所述漂移區上部一端形成漏區而另一端形成體區；

在所述體區上部由內到外而相繼形成源區和體接觸區，其中，所述體接觸區在所述體區內以底部深于所述源區底部的方式設置；

在所述體區上表面至所述漂移區上表面的至少一部分形成柵極結構。