[發明專利]一種半導體封裝件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010840400.9
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN111710672A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 劉在福
• 申請（專利權）人: 蘇州通富超威半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種半導體封裝件，其特征在于，包括：

基板，所述基板上設置有第一布線層和第二布線層，所述第一布線層和所述第二布線層分置于所述基板相背的兩面；

所述第一布線層具有第一觸點區、第二觸點區及第三觸點區，所述第一觸點區連接有第一芯片，第一觸點區的觸點與所述第二觸點區的觸點對應電連接，所述第三觸點區與所述第二布線層電連接；在所述第二觸點區和所述第三觸點區的各觸點均電連接導電柱；

所述第二布線層具有第四觸點區及第五觸點區，所述第四觸點區連接有第二芯片，所述第四觸點區的觸點與所述第五觸點區的觸點對應電連接，且所述第五觸點區與所述第一布線層的第三觸點區電連接；

包覆所述第一芯片及所述各導電柱的第一封裝層，所述第一封裝層暴露所述導電柱的背離基板的端面；

形成于第一封裝層上的再布線金屬層，所述再布線金屬層其中一面的觸點與所述導電柱一一對應電連接，另一面的各觸點分別連接接觸件。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括包覆所述第二芯片的第二封裝層。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述導電柱豎直分布于所述基板的第一布線層的第二觸點區和第三觸點區。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一芯片為邏輯芯片，所述第一芯片倒裝于所述基板的第一布線層的第一觸點區。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第二芯片為存儲器芯片，所述第二芯片正裝于所述基板的第二布線層的第四觸點區。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述接觸件為焊球或導電柱。

7.一種如權利要求1~6任一項所述的半導體封裝件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上分別形成第一布線層和第二布線層，所述第一布線層和所述第二布線層分置于所述基板相背的兩面，其中，所述第一布線層具有第一觸點區、第二觸點區及第三觸點區，所述第一觸點區的觸點與所述第二觸點區的觸點對應電連接，所述第三觸點區與所述第二布線層電連接；所述第二布線層具有第四觸點區及第五觸點區，所述第四觸點區的觸點與所述第五觸點區的觸點對應電連接，所述第五觸點區與所述第一布線層的第三觸點區電連接；

在第一觸點區設置第一芯片；

在第二觸點區和第三觸點區設置導電柱，各所述導電柱與所述第二觸點區和所述第三觸點區的各觸點均一一對應電連接；

在所述基板的第一布線層形成包覆所述第一芯片和導電柱的第一封裝層，并使所述第一封裝層暴露所述導電柱的背離基板的端面；

在第四觸點區設置第二芯片；

在所述第一封裝層上形成再布線金屬層，再布線金屬層其中一面的觸點與所述導電柱一一對應電連接；

在所述再布線金屬層的另一面的各觸點形成接觸件。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，在第四觸點區設置第二芯片之后且在所述第一封裝層上形成再布線金屬層之前，還包括：

在所述基板的第二布線層形成包覆所述第二芯片的第二封裝層。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述導電柱以垂直互聯方式形成于所述基板的第一布線層的第二觸點區和第三觸點區。

10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，使所述第一封裝層暴露所述導電柱的背離基板的端面包括：

減薄所述第一封裝層的上端面，使所述導電柱的背離基板的端部暴露于所述第一封裝層的上端面。